參數(shù)資料
型號： 12CWQ150FN
元件分類： 整流器
英文描述： 12 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大小： 178K
代理商： 12CWQ150FN
12CWQ150FN
Preliminary Data Sheet PD-2.549 04/97
Part number
12CWQ150FN
VR
Max. DC Reverse Voltage (V)
VRWM Max. Working Peak Reverse Voltage (V)
Voltage Ratings
150
Parameters
12CWQ150FN
Units
Conditions
TJ
Max.Junction Temperature Range
-55 to 175
°C
TSTG Max. Storage Temperature Range
-55 to 175
°C
RthJC Max. Thermal Resistance, Junction
3.0
°C/W
DC operation
to case
RthJA Max. Thermal Resistance, Junction
110
DC operation
to Ambient
50
PC Board mounted print land = 20x20mm
wt
Approximate Weight
0.3(0.01)
g (oz.)
Case Style
D-PAK
Similar to TO-252AA
Thermal-Mechanical Specifications
°C/W
Parameters
12CWQ150FN
Units
Conditions
VFM
Max. Forward Voltage Drop
0.75
V
@ 6.0A
(Per Leg)
(1)
IRM
Max. Reverse Leakage Current
0.05
mA
TJ = 25°C
(Per Leg)
(1)
7.0
mA
TJ = 125°C
CT
Max. Junction Capacitance (Per Leg)
100
pF
VR = 5VDC, ( test signal range 100Khz to 1Mhz),°25 C
L S
Typical Series Inductance (Per Leg)
5.0
nH
Measured lead to lead 5mm from package body
dv/dt
Max. Voltage Rate of Change
10,000
V/ s
(Rated V
R
)
TJ = 125°C
VR = rated VR
Electrical Specifications
(1)
Pulse Width < 300s, Duty Cycle < 2%
Parameters
12CWQ150FN
Units
Conditions
IF(AV) Max. Average Forward Current
50% duty cycle @ TC = 123°C, rectangular waveform
IFSM Max. Peak One Cycle Non - Repetitive
210
5s Sine or 3s Rect. pulse
Surge Current (Per Leg)
42
10ms Sine 0r 6ms Rect. pulse
Absolute Maximum Ratings
Following any rated
load condition and with
rated VRRM applied
A
12
相關(guān)PDF資料
PDF描述
12F20 12 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AA
12F80 12 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AA
12FR20M 12 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AA
12F100 12 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AA
12F60 12 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AA
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參數(shù)描述
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12CWWQ10FN 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:SCHOTTKY RECTIFIER 12 Amp
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