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參數(shù)資料
| 型號： | 12F100MS02 |
| 元件分類： | 整流器 |
| 英文描述： | 12 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AA |
| 封裝： | DO-4, 1 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/10頁 |
| 文件大小： | 2963K |
| 代理商： | 12F100MS02 |
1N3879(R), 1N3889(R), 6/ 12/ 16FL(R) Series
2222222222222
12
2
Voltage
V
RRM max. repetitive
V
RSM , maximum non-
I
RRM max.
I
RRM max.
I
RRM max.
Type number
Code
peak and off-state voltage
repetitive peak voltage T
J = 25°C
T
J = 100°C TJ = 150°C
V
A
mA
1N3879.
50
75
1N3880.
100
150
1N3881.
-
200
250
15 *
1.0 *
3.0 *
1N3882.
300
350
1N3883.
400
450
1N3889.
-
50
75
1N3890.
-
100
150
1N3891.
-
200
250
25 *
3.0 *
5.0 *
1N3892.
-
300
350
1N3893.
-
400
450
550
75
10
100
150
6FL..
20
200
275
12FL..
40
400
500
50
-
6.0
16FL..
60
600
725
80
800
950
100
1000
1250
ELECTRICAL SPECIFICATIONS
Voltage Ratings
I
F(AV)
Max. average forward current
180° conduction, half sine wave.
@ TC = 100°C
DC
I
F(RMS) Max. RMS current
9.5
19
25
A
I
FSM
Max. peak, one-cycle
85
130
170
215
t = 10ms No voltage
non-repetitive forward current
90
135
180
225
t = 8.3ms reapplied
72
110
145
180
t = 10ms 100% V
RRM
75 *
115
150 *
190
t = 8.3ms reapplied
Sinusoidal half wave
I2t
Maximum I2t for fusing
36
86
145
230
t = 10ms No voltage
Initial T
J = 150°C
33
78
130
210
t = 8.3ms reapplied
26
60
103
160
t = 10ms 100% V
RRM
23
55
94
150
t = 8.3ms reapplied
I2√t
Maximum I2√t for fusing
363
856
1452
2290
A2√s t = 0.1 to 10ms, no voltage reapplied
V
FM
Max. forward voltage
1.4 *
1.4
1.4 *
1.4
T
J = 25°C, IF = rated IF(AV) (D.C.)
1.5 *
1.5
1.5 *
1.5
T
C = 100°C, IFM = π x rated IF(AV)
Forward Conduction
1N3879.
1N3889.
Parameter
1N3883.
6FL..
1N3893. 16FL.. Units Conditions
12FL..
6*
6
12 *
16
A
A2s
V
* JEDEC registered value
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 12FLR100MS02 | 12 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AA |
| 16F60MS02 | 16 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AA |
| 1.5KE440 | UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201 |
| 1N5923BUR-1ATR | 8.2 V, 1.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AB |
| 1N5927BUR-1C | 12 V, 1.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AB |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 12F100PBF | 制造商:Vishay 功能描述:Diode Switching 1KV 12A 2-Pin DO-4 Bulk |
| 12F10B | 制造商:Olympic Controls Corporation 功能描述: |
| 12F10B BN R R | 功能描述:DIODE 100V 12A COM CATHODE DO-4 RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 二極管，整流器 - 陣列 系列:- 其它有關文件:STTH10LCD06C View All Specifications 標準包裝:1,000 系列:- 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:2V @ 5A 電流 - 在 Vr 時反向漏電:1µA @ 600V 電流 - 平均整流 (Io)（每個二極管）:5A 電壓 - (Vr)（最大）:600V 反向恢復時間(trr):50ns 二極管類型:標準 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 二極管配置:1 對共陰極 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商設備封裝:D2PAK 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1553 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:497-10107-2 |
| 12F10M | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Standard Recovery Diodes (Stud Version), 12 A |
| 12F10PBF | 制造商:Vishay 功能描述:Bulk |
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