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參數(shù)資料
| 型號： | 150K40A |
| 元件分類： | 整流器 |
| 英文描述： | 150 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-205AA |
| 封裝： | DO-8, 1 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/8頁 |
| 文件大小： | 193K |
| 代理商： | 150K40A |
45L(R), 150K/ KS(R) Series
2
www.irf.com
Bulletin I2037 rev. B 03/03
Voltage
V
RRM
, maximum repetitive
V
RSM
, maximum non-
I
RRM
max.
Type number
Code
peak reverse voltage
repetitive peak rev. voltage
@ T
J
= 175°C
VV
mA
10
100
200
20
200
300
35
30
300
400
40
400
500
60
600
720
ELECTRICAL SPECIFICATIONS
Voltage Ratings
45L(R)
150K(R)
150KS(R)
Forward Conduction
I
F(AV)
Max. average forward current
150
A
180° conduction, half sine wave
@ Case temperature
150
°C
I
F(RMS)
Max. RMS forward current
235
A
DC @ 142°C case temperature
I
FSM
Max. peak, one-cycle forward,
3570
t = 10ms
No voltage
non-repetitive surge current
3740
t = 8.3ms
reapplied
3000
t = 10ms
100% V
RRM
3140
t = 8.3ms
reapplied
Sinusoidal half wave,
I2t
Maximum I2t for fusing
64
t = 10ms
No voltage
Initial T
J
= T
J
max.
58
t = 8.3ms
reapplied
45
t = 10ms
100% V
RRM
41
t = 8.3ms
reapplied
I2
√t
Maximum I2
√t for fusing
640
KA2
√s
t = 0.1 to 10ms, no voltage reapplied
V
F(TO)1
Low level value of threshold
voltage
V
F(TO)2
High level value of threshold
voltage
r
f1
Low level value of forward
slope resistance
r
f2
High level value of forward
slope resistance
V
FM
Max. forward voltage drop
1.33
V
I
pk
= 471A, T
J
= 25°C, t
p
= 10ms sinusoidal wave
Parameter
45L /150K
Units
Conditions
KA2s
A
V
m
0.67
(16.7% x
π x I
F(AV)
< I <
π x I
F(AV)
), T
J
= T
J
max.
0.83
(I > x
π x I
F(AV)
),T
J
= T
J
max.
1.42
(16.7% x
π x I
F(AV)
< I <
π x I
F(AV)
), T
J
= T
J
max.
0.91
(I > x
π x I
F(AV)
),T
J
= T
J
max.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 150K60A | 150 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-205AA |
| 150KR60A | 150 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-205AA |
| 150KSR10 | 150 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 150KSR30 | 150 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 150KSR60 | 150 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 150K40AM | 功能描述:DIODE STD REC 400V 150A DO8/M12 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標準包裝:100 系列:- 二極管類型:標準 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應商設備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879 |
| 150K5A | 制造商:NJSEMI 制造商全稱:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:Rectifiers Standard Recovery |
| 150K5PCT | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 150K60 | 制造商:NAINA 制造商全稱:Naina Semiconductor ltd. 功能描述:SILICON POWER DIODE |
| 150K60A | 功能描述:整流器 SI STND RECOV DO-8 200-1000V 150A 600PV RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
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