參數(shù)資料
型號(hào)： 16CTQ080STRR
元件分類： 整流器
英文描述： 8 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝： PLASTIC, SMD-220, D2PKA-3
文件頁數(shù)： 2/9頁
文件大小： 314K
代理商： 16CTQ080STRR
16CTQ..., 16CTQ...S, 16CTQ...-1 Series
2
Bulletin PD-20192 rev. M 07/06
www.irf.com
16CTQ060
16CTQ80
16CTQ100
16CTQ060S
16CTQ80S
16CTQ100S
16CTQ060-1
16CTQ80-1
16CTQ100-1
VR
Max. DC Reverse Voltage (V)
VRWM Max. Working Peak Reverse Voltage (V)
60
80
100
Voltage Ratings
Parameters
Absolute Maximum Ratings
Parameters
Values Units
Conditions
I
F(AV) Max. Average Forward
(Per Leg)
8
A
50% duty cycle @ T
C = 148°C, rectangular wave form
Current
* See Fig. 5
(Per Device)
16
I
FSM
Max. Peak One Cycle Non-Repetitive
850
5μs Sine or 3μs Rect. pulse
Surge Current (Per Leg)
* See Fig. 7
275
10ms Sine or 6ms Rect. pulse
E
AS
Non-Repetitive Avalanche Energy
7.50
mJ
T
J = 25 °C, IAS = 0.50 Amps, L = 60 mH
(Per Leg)
I
AR
Repetitive Avalanche Current
0.50
A
Current decaying linearly to zero in 1 μsec
(Per Leg)
Frequency limited by T
J max. VA = 1.5 x VR typical
A
T
J
Max. Junction Temperature Range
-55 to 175
°C
T
stg
Max. Storage Temperature Range
-55 to 175
°C
R
thJC Max. Thermal Resistance Junction
3.25
°C/W DC operation
to Case (Per Leg)
R
thJC Max. Thermal Resistance Junction
1.63
°C/W DC operation
to Case (Per Package)
R
thCS Typical Thermal Resistance, Case
0.50
°C/W Mounting surface , smooth and greased
to Heatsink
(only for TO-220)
wt
Approximate Weight
2 (0.07)
g (oz.)
T
Mounting Torque
Min.
6 (5)
Max.
12 (10)
Thermal-Mechanical Specifications
Kg-cm
(Ibf-in)
Parameters
Values Units
Conditions
V
FM
Max. Forward Voltage Drop
0.72
V
@ 8A
(Per Leg) * See Fig. 1
(1)
0.88
V
@ 16A
0.58
V
@ 8A
0.69
V
@ 16A
I
RM
Max. Reverse Leakage Current
0.55
mA
T
J =
25 °C
(Per Leg) * See Fig. 2
(1)
7.0
mA
T
J = 125 °C
V
F(TO) Threshold Voltage
0.415
V
T
J =
T
J max
rt
Forward Slope Resistance
11.07
m
Ω
CT
Max. Junction Capacitance(Per Leg)
500
pF
VR = 5VDC (test signal range 100Khz to 1Mhz) 25°C
LS
Typical Series Inductance (Per Leg)
8.0
nH
Measured lead to lead 5mm from package body
dv/dt Max. Voltage Rate of Change
10000
V/ μs
(Rated V
R)
T
J =
25 °C
T
J = 125 °C
Electrical Specifications
(1) Pulse Width < 300μs, Duty Cycle <2%
V
R = rated VR
Parameters
Values Units
Conditions
Following any rated
load condition and with
rated VRRM applied
相關(guān)PDF資料
PDF描述
16CTQ100STRL 8 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
16FL2CZ47A 16 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
16GWJ2CZ47 16 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
16KQ50 15 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
16KQ90 15 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
16CTQ080STRRPBF 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Diode Schottky 80V 16A T/R
16CTQ100 功能描述:肖特基二極管與整流器 16 Amp 100 Volt RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時(shí)間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
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16CTQ100-1PBF 功能描述:DIODE SCHOTTKY 100V 8A TO262 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 二極管，整流器 - 陣列 系列:- 其它有關(guān)文件:STTH10LCD06C View All Specifications 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:2V @ 5A 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:1µA @ 600V 電流 - 平均整流 (Io)（每個(gè)二極管）:5A 電壓 - (Vr)（最大）:600V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):50ns 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 二極管配置:1 對(duì)共陰極 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1553 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:497-10107-2
16CTQ100-1TRL 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Schottky Rectifier, 2 x 8 A
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