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參數(shù)資料
| 型號： | 1815 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | BOX 4.94 X 2.75 X .94 STD BLK |
| 中文描述： | 硅npn型Epitaxail類型（通用音頻放大器應用） |
| 文件頁數(shù)： | 2/8頁 |
| 文件大小： | 42K |
| 代理商： | 1815 |
1999 May 28
2
Philips Semiconductors
Product specication
NPN general purpose transistor
2PC1815
FEATURES
Low current (max. 150 mA)
Low voltage (max. 50 V).
APPLICATIONS
General purpose switching and amplification,
e.g. audio amplifier driver stages.
DESCRIPTION
NPN transistor in a TO-92 (SOT54) plastic package.
PNP complement: 2PA1015.
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
base
2
collector
3
emitter
Fig.1
Simplified outline (TO-92; SOT54)
and symbol.
handbook, halfpage1
3
2
MAM259
2
1
3
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1. Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
VCBO
collector-base voltage
open emitter
60
V
VCEO
collector-emitter voltage
open base
50
V
EBO
emitter-base voltage
open collector
5V
IC
collector current (DC)
150
mA
ICM
peak collector current
200
mA
IBM
peak base current
200
mA
Ptot
total power dissipation
Tamb ≤ 25 °C; note 1
500
mW
Tstg
storage temperature
65
+150
°C
Tj
junction temperature
150
°C
Tamb
operating ambient temperature
65
+150
°C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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