參數(shù)資料
型號： 1KSMBJ18C
元件分類： TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制
英文描述： 1000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
封裝： LEAD FREE, PLASTIC, SMB, 2 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 156K
代理商： 1KSMBJ18C
Silicon Avalanche Diodes
276
www .littelfuse .com
6
S
IL
IC
O
N
D
IO
D
E
A
R
A
Y
S
Reverse
Stand Off
Voltage
VR
(Volts)
Part
Number
Breakdown
Voltage
VBR (Volts) @
IT
MIN
MAX
IT (mA)
Maximum
Reverse
Leakage
IR @ VR
(A)
Maximum
Clamping
Voltage
VC @
IPP
(Volts)
Maximum
Peak Pulse
Current
IPP
(A)
1KSMBJ Series
1KSMBJ 6.8
N10A
5.50
6.12
7.46
10.0
1000.0 (4)
10.8
92.5
1KSMBJ 6.8A
N10B
5.80
6.45
7.14
10.0
1000.0 (4)
10.5
95.0
1KSMBJ 7.5
N10C
6.05
6.75
8.25
10.0
500.0 (4)
11.7
85.0
1KSMBJ 7.5A
N10D
6.40
7.13
7.88
10.0
500.0 (4)
11.3
88.3
1KSMBJ 8.2
N10E
6.63
7.38
9.02
10.0
200.0 (4)
12.5
80.0
1KSMBJ 8.2A
N10F
7.02
7.79
8.61
10.0
200.0 (4)
12.1
83.3
1KSMBJ 9.1
N10G
7.37
8.19
10.0
1.0
50.0 (4)
13.8
73.3
1KSMBJ 9.1A
N10H
7.78
8.65
9.55
1.0
50.0 (4)
13.4
75.0
1KSMBJ 10
N10I
8.10
9.00
11.0
1.0
10.0 (4)
15.0
66.7
1KSMBJ 10A
N10J
8.55
9.50
10.5
1.0
10.0 (4)
14.5
68.3
1KSMBJ 11
N10K
8.92
9.90
12.1
1.0
5.0 (4)
16.2
61.7
1KSMBJ 11A
N10L
9.40
10.5
11.6
1.0
5.0 (4)
15.6
63.3
1KSMBJ 12
N10M
9.72
10.80
13.2
1.0
5.0 (4)
17.3
58.3
1KSMBJ 12A
N10N
10.2
11.4
12.6
1.0
5.0
16.7
60.0
1KSMBJ 13
N10O
10.5
11.7
14.3
1.0
5.0
19.0
53.3
1KSMBJ 13A
N10P
11.1
12.4
13.7
1.0
5.0
18.2
55.0
1KSMBJ 15
N10Q
12.1
13.5
16.5
1.0
5.0
22.0
45.0
1KSMBJ 15A
N10R
12.8
14.3
15.8
1.0
5.0
21.2
46.7
1KSMBJ 16
N10S
12.9
14.4
17.6
1.0
5.0
23.5
43.3
1KSMBJ 16A
N10T
13.6
15.2
16.8
1.0
5.0
22.5
45.0
1KSMBJ 18
N10U
14.5
16.2
19.8
1.0
5.0
26.5
38.0
1KSMBJ 18A
N10V
15.3
17.1
18.9
1.0
5.0
25.2
40.0
1KSMBJ 20
N10W
16.2
18.0
22.0
1.0
5.0
29.1
35.0
1KSMBJ 20A
N10X
17.1
19.0
21.0
1.0
5.0
27.7
36.7
1KSMBJ 22
N10Y
17.8
19.8
24.2
1.0
5.0
31.9
31.7
1KSMBJ 22A
N10Z
18.8
20.9
23.1
1.0
5.0
30.6
33.3
1KSMBJ 24
O10A
19.4
21.6
26.4
1.0
5.0
34.7
28.3
1KSMBJ 24A
O10B
20.5
22.8
25.2
1.0
5.0
33.2
30.0
1KSMBJ 27
O10C
21.8
24.3
29.7
1.0
5.0
39.1
25.5
1KSMBJ 27A
O10D
23.1
25.7
28.4
1.0
5.0
37.5
26.7
1KSMBJ 30
O10E
24.3
27.0
33.0
1.0
5.0
43.5
22.9
1KSMBJ 30A
O10F
25.6
28.5
31.5
1.0
5.0
41.4
24.0
1KSMBJ 33
O10G
26.8
29.7
36.3
1.0
5.0
47.7
21.0
1KSMBJ 33A
O10H
28.2
31.4
34.7
1.0
5.0
45.7
22.0
1KSMBJ 36
O10I
29.1
32.4
39.6
1.0
5.0
52.0
19.2
1KSMBJ 36A
O10J
30.8
34.2
37.8
1.0
5.0
49.9
20.0
ELECTRICAL SPECIFICATION @ Tamb 25°C
Notes:
1.
All testing is performed at Tamb = 25C (+/- 3C)
2.
Bv is measured using a pulse of 20 milliseconds or less
3.
Ir is doubled for Bi-directional devices only with VR equal or less than 10 volts
4.
Peak Pulse Current is quoted @ 10/1000
sec
5.
All parameters are stated as tested on a FET Tester Model 3400
6.
Devices are uni-directional. Vf is not specified.
1000W Surface Mount Transient Voltage Suppressor
Device
Code
RoHS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
1KSMBJ7.5 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
1KSMBJ75 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
1KSX2209-234GG PGA2209, IC SOCKET
1LS108 Semiconductor Fuse Blocks
1LS109 Semiconductor Fuse Blocks
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
1KSMBJ18CA 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 1KW 18VBR RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
1KSMBJ20 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 1KW 20VBR RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
1KSMBJ20A 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 TVS Diode 1K SMB Suf MT RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
1KSMBJ20C 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 1KW 20VBR RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
1KSMBJ20CA 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 TVS Diode 1K SMB Suf MT RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
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