參數(shù)資料
型號(hào)： 1N1206B
元件分類： 整流器
英文描述： 12 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大小： 373K
代理商： 1N1206B
相關(guān)PDF資料
PDF描述
1N1201A 12 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
1N1202A 12 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
1N4013 12 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
1N1199 12 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
1N1200 12 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
1N1206BR 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:STD RECOVERY RECTFR 600V 12A 2PIN DO-4 - Bulk
1N1206C 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:600V 25A 2PIN DO-203AA - Bulk
1N1206CR 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Silicon Power Rectifiers
1N1206R 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:STD RECOVERY RECTFR 600V 12A 2PIN DO-4 - Bulk
1N1206RA 功能描述:DIODE STD REC 600V 12A DO4 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879
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