參數(shù)資料
型號： 1N3070UR-1
廠商： MICROSEMI CORP-LAWRENCE
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： SWITCHING DIODE
中文描述： 0.1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AA
封裝： HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大?。?/td> 66K
代理商： 1N3070UR-1
D
ESIGN
D
ATA
Case:
Hermetically sealed glass package per MIL-
PRF-19500/169 DO-213AA outline
Lead Material:
Copper clad steel
Lead Finish:
Tin/Lead
Thermal Resistance (R
θ
JEC
):
50
°
C/W maximum
Thermal Impedance (Z
θ
JX
):
70
°
C/W maximum
Polarity:
Cathode end is banded.
M
AXIMUM
R
ATINGS
AT
25
°
C
Operating Temperature:
Storage Temperature:
Surge Current A, sine, 1uS:
Surge Current B, sine, 1S:
Total Power Dissipation:
Operating Current:
Derating Factor:
D.C. Reverse Voltage (VRWM):
-65
°
C to +175
°
C
-65
°
C to +175
°
C
2.0A
0.5A
500mW
100mA, T
A
= +25
°
C
0.667mA/
°
C above T
A
= +25
°
C
175V
F
EATURES
1N3070UR-1
AVAILABLE IN
JAN, JANTX, AND JANTXV
PER MIL-PRF-
19500/169
S
WITCHING
D
IODE
M
ETALLURGICALLY
B
ONDED
H
ERMETICALLY
S
EALED
D
OUBLE
P
LUG
C
ONSTRUCTION
A
LSO
A
VAILABLE
A
S
LL3070
DC
E
LECTRICAL
C
HARACTERISTICS
V
F
Ambient
(
°
C)
mA
V
25
100
-
1.0
-55
100
-
1.2
I
R
V
BR
I
μA
100
I
Min
Max
V
Ambient
(
°
C)
25
150
V (dc)
175
175
Min
μA
-
-
Max
μA
0.1
100
Ambient
(
°
C)
25
Min
V
200
Max
V
-
AC
E
LECTRICAL
C
HARACTERISTICS AT
25
°
C
Symbol
Capacitance
@ 0V
pF
T
RR
@ I
F
=I
R
=30mA,
I
Rec
= 3mA.
Min
-
Max
5
nsec
-
50
I
RELAND -
G
ORT
R
OAD
,
E
NNIS,
C
O.
C
LARE
PHONE:
TOLL FREE:
FAX:
U.S.A.
D
OMESTIC
S
ALES
C
ONTACT
PHONE:
TOLL FREE:
+353 65 6840044
+186 62 702434
+353 65 6822298
(617) 926 0404
1 800 666 2999
WWW.MICROSEMI.COM
1N3070UR-1
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1N3088 制造商:n/a 功能描述:Diode
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