參數(shù)資料
型號: 1N3670RA
廠商: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
元件分類: 參考電壓二極管
英文描述: 12 A, 700 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AA
封裝: DO-4, 1 PIN
文件頁數(shù): 4/6頁
文件大?。?/td> 145K
代理商: 1N3670RA
www.vishay.com
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Document Number: 93493
4
Revision: 24-Jun-08
1N1...A, 1N36..A Series
Vishay High Power Products
Medium Power
Silicon Rectifier Diodes, 12 A
Fig. 1 - Average Forward Current vs.
Maximum Allowable Case Temperature
Fig. 2 - Maximum Low Level Forward Power Loss vs.
Average Forward Current
Fig. 3 - Maximum High Level Forward Power Loss vs.
Average Forward Current
Fig. 4 - Maximum Forward Voltage vs. Forward Current
Fig. 5 - Maximum Transient Thermal Impedance,
Junction to Case vs. Pulse Duration
Fig. 6 - Maximum Non-Repetitive 50 Hz Surge Current vs.
Number of Current Pulses
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Dimensions
http://www.vishay.com/doc?95311
相關PDF資料
PDF描述
1N4001SG 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE
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1N4149 0.15 A, SILICON, SIGNAL DIODE
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1N4492U 130 V, 1.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
1N3671 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:STD RECOVERY RECTFR 800V 22A 2PIN DO-203AA - Bulk
1N3671A 功能描述:整流器 800V 12A Std. Recovery RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
1N3671AR 功能描述:整流器 800V 12A REV Leads Std. Recovery RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
1N3671R 制造商:DIOTEC 制造商全稱:Diotec Semiconductor 功能描述:
1N3671RA 功能描述:DIODE STD REC 800V 12A DO-4 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標準包裝:100 系列:- 二極管類型:標準 電壓 - (Vr)(最大):50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)(最大):1.4V @ 6A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座,接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA,DO-4,接線柱 供應商設備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879