參數(shù)資料
型號: 1N4006
廠商: MICROSEMI CORP
元件分類: 二極管(射頻、小信號、開關(guān)、功率)
英文描述: 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
文件頁數(shù): 3/3頁
文件大?。?/td> 238K
代理商: 1N4006
1
100
4
0
10
20
30
8
Figure 5
Peak Forward Surge Current
Peak Forward Surge Current - Amperes versus
Number Of Cycles At 60Hz - Cycles
Amps
Cycles
2
6
10
20
60 80
40
50
60
Figure 4
Typical Reverse Characteristics
Instantaneous Reverse Leakage Current - MicroAmperes versus
Percent Of Rated Peak Reverse Voltage - Volts
Volts
4
6
20
10
Amps
20
120
40
60
80
100
.01
.02
.04
.06
.1
.2
.4
.6
1
2
TA=25
°C
40
60
100
140
TA=100
°C
1N4001 thru 1N4007
相關(guān)PDF資料
PDF描述
1N4013 12 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-4
1N4056R 275 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-9
1N4100 7.5 V, 0.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
1N4102 8.7 V, 0.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
1N4104V 10 V, 0.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
1N4006- 制造商:TAIW 功能描述:General Purpose 800V Through Hole Rectifier DO-41 1.0A
1N4006 _AY _10001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述:
1N4006 BK 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 1A DO41 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):800V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 1A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 800V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000
1N4006 R0 制造商:SPC Multicomp 功能描述:DIODE 1A 800V REEL 5K
1N4006 TR 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 1A DO41 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):800V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 1A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 800V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000