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參數(shù)資料
| 型號： | 1N4007S-T/B |
| 元件分類： | 二極管(射頻、小信號、開關(guān)、功率) |
| 英文描述： | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 200K |
| 代理商： | 1N4007S-T/B |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| 11DF3-B | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
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| 1N4933-B | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1N4933-T/R | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 1N4007-T | 功能描述:整流器 Vr/1000V Io/1A T/R RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| 1N4007TA | 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV） 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:15pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 125°C 標準包裝:1 |
| 1N4007T-G | 功能描述:整流器 1A 1000V Rectifier Diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| 1N4007TP | 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述:Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-41 T/R |
| 1N4007-TP | 功能描述:整流器 Vr/1000V Io/1A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
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