型號: | 1N4151WS-V-GS08 |
廠商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
元件分類: | 參考電壓二極管 |
英文描述: | 0.15 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
封裝: | ROHS COMPLIANT PACKAGE-2 |
文件頁數(shù): | 3/6頁 |
文件大?。?/td> | 83K |
代理商: | 1N4151WS-V-GS08 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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1N4151WS-V-GS18 | 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關(guān) 75 Volt 500mA 2ns RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
1N4151W-V-G-08 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:SWITCHING DIODE GENPURP SOD123-E3-G |
1N4151W-V-G-18 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:SWITCHING DIODE GENPURP SOD123-E3-G |
1N4151W-V-GS08 | 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關(guān) Vr/75V Io/150mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
1N4151W-V-GS18 | 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關(guān) 75 Volt 500mA 2ns RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |