參數(shù)資料
型號: 1N4151WS-V-GS08
廠商: VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類: 參考電壓二極管
英文描述: 0.15 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE
封裝: ROHS COMPLIANT PACKAGE-2
文件頁數(shù): 3/6頁
文件大?。?/td> 83K
代理商: 1N4151WS-V-GS08
1N4151WS-V
Document Number 85847
Rev. 1.4, 12-Aug-10
Vishay Semiconductors
www.vishay.com
3
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Typical Characteristics
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified
Figure 1. Forward Current vs. Forward Voltage
Figure 2. Dynamic Forward Resistance vs. Forward Current
Figure 3. Admissible Power Dissipation vs. Ambient Temperature
18742
1000
100
10
1
0.1
0.01
I-
F
o
rw
ard
C
u
rrent
(mA)
F
0
0.4 0.6 0.8
1 1.2 1.4 1.6 1.8 2
0.2
V - Forward Voltage (V)
=100
°C
Tj
25
°C
F
18662
1
10
100
1000
10000
r
-
Dynamic
F
or
w
ard
Resistance
f
(Ω)
110
0.1
0.01
100
IF - Forward Current (mA)
=25
°C
Tj
f=1kHz
200
18743
Tamb - Ambient Temperature (°C)
1000
800
600
400
200
20 40 60 80 100 120 140 160180
P
-Admissi
b
le
Po
w
er
Dissipation
(m
W
)
tot
0
Figure 4. Relative Capacitance vs. Reverse Voltage
Figure 5. Leakage Current vs. Junction Temperature
18664
246
8
0
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
10
C
-Relati
v
e
Capacitance
(pF)
tot
VR - Reverse Voltage (V)
=25
°C
Tj
f=1MHz
1
18744
10
100
1000
10000
020
4060 80 100 120 140 160 180 200
I
-Leakage
C
u
rrent
(nA)
R
Tj - Junction Temperature (°C)
=50 V
VR
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1N4151W-V-G-08 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:SWITCHING DIODE GENPURP SOD123-E3-G
1N4151W-V-G-18 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:SWITCHING DIODE GENPURP SOD123-E3-G
1N4151W-V-GS08 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關(guān) Vr/75V Io/150mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
1N4151W-V-GS18 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關(guān) 75 Volt 500mA 2ns RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube