參數(shù)資料
型號: 1N4448R
元件分類: 二極管(射頻、小信號、開關(guān)、功率)
英文描述: 0.2 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE
文件頁數(shù): 3/3頁
文件大?。?/td> 121K
代理商: 1N4448R
相關(guān)PDF資料
PDF描述
1N4448 0.2 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE
1N462AX 0.2 A, 70 V, SILICON, SIGNAL DIODE
1N482B 0.2 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE
1N658R 0.2 A, 120 V, SILICON, SIGNAL DIODE
1N658X 0.2 A, 120 V, SILICON, SIGNAL DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
1N4448R0 制造商:TSC 制造商全稱:Taiwan Semiconductor Company, Ltd 功能描述:500mW High Speed Switching Diode
1N4448T 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關(guān) 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
1N4448-T 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關(guān) Vr/75V If/500mA T/R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
1N4448T/R 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE SW TAPE AXIAL
1N4448T-72 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關(guān) SWITCH 150MA 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube