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參數(shù)資料
| 型號： | 1N4449T-11 |
| 元件分類： | 二極管(射頻、小信號、開關(guān)、功率) |
| 英文描述： | 0.15 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 76K |
| 代理商： | 1N4449T-11 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| 1N4531HV | 0.15 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-34 |
| 1SS144T-83 | 0.2 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| 1SS144T-85 | 0.2 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| 1SS144VG | 0.2 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 1N4450 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:silicon diode |
| 1N4451 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:silicon diode |
| 1N4452 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:silicon diode |
| 1N4453 | 制造商:SEMTECH_ELEC 制造商全稱:SEMTECH ELECTRONICS LTD. 功能描述:SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODES |
| 1N4454 | 功能描述:整流器 Vr/75V Io/200mA BULK RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
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