參數(shù)資料
型號： 1N4741DRL
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： 11 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41
封裝： GLASS, CASE 59-03, 2 PIN
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大小： 55K
代理商： 1N4741DRL
GENERAL DATA — 500 mW DO-35 GLASS
Motorola TVS/Zener Device Data
6-4
500 mW DO-35 Glass Data Sheet
Figure 10. Typical Forward Characteristics
VF, FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1000
500
200
100
50
20
10
5
2
1
I F
,FOR
W
ARD
CURRENT
(mA)
MAXIMUM
150
°C
75
°C
0
°C
25
°C
Figure 6. Effect of Zener Current
on Zener Impedance
Figure 7. Effect of Zener Voltage
on Zener Impedance
Figure 9. Typical Capacitance versus VZ
Figure 8. Typical Leakage Current
1000
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
IZ, ZENER CURRENT (mA)
Z
,DYNAMIC
IMPEDANCE
(OHMS)
1000
700
500
200
100
70
50
20
10
7
5
2
1
2
100
VZ, ZENER CURRENT (mA)
35
7
10
20
30
50
70
Z
,DYNAMIC
IMPEDANCE
(OHMS)
10000
7000
5000
2000
1000
700
500
200
100
70
50
20
10
7
5
2
1
0.7
0.5
0.2
0.1
0.07
0.05
0.02
0.01
0.007
0.005
0.002
0.001
I R
,LEAKAGE
CURRENT
(
A)
3
456
78
9
10
11
12
13
14
15
VZ, NOMINAL ZENER VOLTAGE (VOLTS)
+25
°C
+125
°C
TYPICAL LEAKAGE CURRENT
AT 80% OF NOMINAL
BREAKDOWN VOLTAGE
TJ = 25°C
iZ(rms) = 0.1 IZ(dc)
f = 60 Hz
6.2 V
27 V
VZ = 2.7 V
47 V
TJ = 25°C
iZ(rms) = 0.1 IZ(dc)
f = 60 Hz
20 mA
5 mA
IZ = 1 mA
0 V BIAS
1 V BIAS
400
300
200
100
50
20
10
8
4
1
2
5
10
20
50
100
VZ, NOMINAL VZ (VOLTS)
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
50% OF BREAKDOWN BIAS
MINIMUM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
1N4763DTA2 91 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41
1N4764CTA2 100 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41
1N4684CTA2 3.3 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AH
1N4687CTA2 4.3 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AH
1N4690C 5.6 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AH
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參數(shù)描述
1N4741E3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 11V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:11V 容差:±10% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:8 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 8.4V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL（DO-41） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000
1N4741G 功能描述:穩(wěn)壓二極管 1W,11V,5%,ZENER RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
1N4741G A0G 功能描述:DIODE ZENER 11V 1W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:11V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:23 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 16.7V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TA） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL（DO-41） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
1N4741G R0G 功能描述:DIODE ZENER 11V 1W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:11V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:23 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 16.7V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TA） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL（DO-41） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000
1N4741P/TR12 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:1.0W, VZ = 11V, ? 10% - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 1.0W 11V 10% DO41
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