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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 1N4934GPE |
| 廠商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL |
| 封裝： | PLASTIC, DO-41, 2 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/2頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 30K |
| 代理商： | 1N4934GPE |
1N4933GP thru 1N4937GP
Vishay Semiconductors
formerly General Semiconductor
www.vishay.com
Document Number 88509
2
27-Feb-02
Ratings and
Characteristic Curves (TA = 25°C unless otherwise noted)
Ambient Temperature (
°C)
Fig. 1 — Forward Current
Derating Curves
A
verage
Forward
Rectified
Current
(A)
Fig. 3 — Typical Instantaneous
Forward Characteristics
Instantaneous Forward Voltage (V)
Instantaneous
Forward
Current
(A)
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Instantaneous
Reverse
Current
(
A)
Fig. 4 — Typical Reverse
Characteristics
Fig. 5 — Typical Junction Capacitance
Number of Cycles at 60 HZ
Reverse Voltage (V)
Fig. 2 — Maximum Non-Repetitive
Peak Forward Surge Current
Junction
Capacitance
(pF)
Fig. 6 — Typical Transient
Thermal Impedance
t, Pulse Duration (sec.)
T
ypical
Thermal
Impedance
(
°CW)
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0.25
0.5
0.75
1.0
1
10
100
0
10
20
30
40
Peak
Forward
Surge
Current
(A)
TJ = TJ max.
8.3ms Single Half Sine-Wave
(JEDEC Method)
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0.01
0.1
1
10
Pulse Width = 300
s
1% Duty Cycle
TJ = 25
°C
0
20
40
60
80
100
0.01
0.1
1
10
20
1
10
100
1
10
100
TJ = 25°C
f = 1.0MHZ
Vsig = 50mVp-p
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
TJ = 125
°C
TJ = 25
°C
0.375" (9.5mm) Lead Length
Resistive or
Inductive Load
TJ = 75
°C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N4935GPE/54 | 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL |
| 1N4935GPE/60 | 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL |
| 1N4935GPE/66 | 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL |
| 1N4935GPE/64 | 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL |
| 1N4935GPE/70 | 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 1N4934GPE/54 | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) 1.0 Amp 100 Volt Glass Passivated RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
| 1N4934GP-E3/1 | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) 100 Volt 1.0A 200ns Glass Passivated RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
| 1N4934GP-E3/23 | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) 1.0 Amp 100 Volt Glass Passivated RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
| 1N4934GP-E3/4 | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) 1.0 Amp 100 Volt Glass Passivated RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
| 1N4934GP-E3/51 | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) 1.0 Amp 100 Volt Glass Passivated RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
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