參數(shù)資料
型號： 1N4935GPE/66
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL
封裝： PLASTIC, DO-41, 2 PIN
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 30K
代理商： 1N4935GPE/66
1N4933GP thru 1N4937GP
Vishay Semiconductors
formerly General Semiconductor
www.vishay.com
Document Number 88509
2
27-Feb-02
Ratings and
Characteristic Curves (TA = 25°C unless otherwise noted)
Ambient Temperature (
°C)
Fig. 1 — Forward Current
Derating Curves
A
verage
Forward
Rectified
Current
(A)
Fig. 3 — Typical Instantaneous
Forward Characteristics
Instantaneous Forward Voltage (V)
Instantaneous
Forward
Current
(A)
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Instantaneous
Reverse
Current
(
A)
Fig. 4 — Typical Reverse
Characteristics
Fig. 5 — Typical Junction Capacitance
Number of Cycles at 60 HZ
Reverse Voltage (V)
Fig. 2 — Maximum Non-Repetitive
Peak Forward Surge Current
Junction
Capacitance
(pF)
Fig. 6 — Typical Transient
Thermal Impedance
t, Pulse Duration (sec.)
T
ypical
Thermal
Impedance
(
°CW)
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0.25
0.5
0.75
1.0
1
10
100
0
10
20
30
40
Peak
Forward
Surge
Current
(A)
TJ = TJ max.
8.3ms Single Half Sine-Wave
(JEDEC Method)
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0.01
0.1
1
10
Pulse Width = 300
s
1% Duty Cycle
TJ = 25
°C
0
20
40
60
80
100
0.01
0.1
1
10
20
1
10
100
1
10
100
TJ = 25°C
f = 1.0MHZ
Vsig = 50mVp-p
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
TJ = 125
°C
TJ = 25
°C
0.375" (9.5mm) Lead Length
Resistive or
Inductive Load
TJ = 75
°C
相關PDF資料
PDF描述
1N4935GPE/64 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL
1N4935GPE/70 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL
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1N4937GPE/58 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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