參數(shù)資料
型號(hào)： 1N5062GP/4E
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 參考電壓二極管
英文描述： 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC
封裝： PLASTIC, DO-15, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 328K
代理商： 1N5062GP/4E
www.vishay.com
2
Document Number 88513
17-Oct-05
1N5059GP thru 1N5062GP
Vishay General Semiconductor
Electrical Characteristics
(TA = 25 °C unless otherwise noted)
Thermal Characteristics
(TA = 25 °C unless otherwise noted)
Notes:
(1) Thermal resistance from junction to ambient at 0.375" (9.5 mm) lead length, P.C.B. mounted
*JEDEC registered values
Ratings and Characteristics Curves
(TA = 25 °C unless otherwise noted)
Parameter
Test condition
Symbol
1N5059GP 1N5060GP 1N5061GP 1N5062GP
Unit
* Max. instantaneous forward
voltage
at 1.0 A, TA = 75 °C
VF
1.2
V
* Maximum DC reverse current
at rated DC blocking voltage
TA = 25 °C
TA = 175 C
IR
5.0
300
A
Typical reverse recovery time
at IF = 0.5 A, IR = 1.0 A,
Irr = 0.25 A
trr
2.0
s
Typical junction capacitance
at 4.0 V, 1 MHz
CJ
15
pF
Parameter
Symbol
1N5059GP 1N5060GP 1N5061GP 1N5062GP
Unit
Typical thermal resistance(1)
RθJA
RθJL
45
20
°C/W
Figure 1. Forward Current Derating Curve
0
25
50
75
100
125
150
175
200
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0.375" (9.5mm)
Lead Length
60 Hz
Resistive or
Inductive Load
Ambient Temperature, °C
A
v
er
age
F
o
rw
ard
Rectified
C
u
rrent
(A)
Figure 2. Maximum Non-repetitive Peak Forward Surge Current
0
1
10
100
10
20
30
40
50
TA = 100 °C
8.3 ms Single Half Sine-Wave
(JEDEC Method)
Number of Cycles at 60 Hz
Pe
a
k
F
o
rw
ard
S
u
rge
C
u
rrent
(A)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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