參數(shù)資料
型號: 1N5225B
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 參考電壓二極管
英文描述: Absolute Maximum Ratings
中文描述: 3 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
封裝: GLASS PACKAGE-2
文件頁數(shù): 3/7頁
文件大小: 37K
代理商: 1N5225B
MITSUBISHI <INTELLIGENT POWER MODULES>
PM75RL1A120
FLAT-BASE TYPE
INSULATED PACKAGE
May 2009
3
Parameter
Symbol
Supply Voltage Protected by
SC
Supply Voltage (Surge)
Storage Temperature
Isolation Voltage
Condition
VCC(surge)
Tstg
Viso
Ratings
VCC(PROT)
800
1000
–40 ~ +125
2500
Unit
V
°C
Vrms
V
VD = 13.5 ~ 16.5V
Inverter Part, Tj = +125
°C Start
Applied between : P-N, Surge value
60Hz, Sinusoidal, Charged part to Base, AC 1 min.
2.15
2.35
3.3
2.0
0.8
1.0
2.8
1.2
1
10
Min.
Typ.
Max.
Collector-Emitter Saturation
Voltage
Collector-Emitter Cutoff
Current
–IC = 75A, VD = 15V, VCIN = 15V
(Fig. 2)
Tj = 25
°C
Tj = 125
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tj = 25
°C, unless otherwise noted)
INVERTER PART
Parameter
Symbol
Condition
VCE(sat)
ICES
VEC
ton
trr
tc(on)
toff
tc(off)
Limits
0.3
1.65
1.85
2.3
0.8
0.3
0.4
1.2
0.4
Tj = 25
°C
Tj = 125
°C
FWDi Forward Voltage
Switching Time
VD = 15V, VCIN = 0V
15V
VCC = 600V, IC = 75A
Tj = 125
°C
Inductive Load
(Fig. 3,4)
VCE = VCES, VD = 15V
(Fig. 5)
VD = 15V, IC = 75A
VCIN = 0V, Pulsed
(Fig. 1)
TOTAL SYSTEM
V
mA
V
s
Unit
0.21
0.36
0.27
0.47
0.038
°C/W
Rth(j-c)Q
Rth(j-c)F
Rth(j-c)Q
Rth(j-c)F
Rth(c-f)
Inverter IGBT part (per 1 element)
(Note-1)
Inverter FWDi part (per 1 element)
(Note-1)
Brake IGBT part
(Note-1)
Brake FWDi upper part
(Note-1)
Case to fin, (per 1 module)
Thermal grease applied
(Note-1)
Symbol
Condition
Unit
Min.
Junction to case Thermal
Resistances
THERMAL RESISTANCES
Contact Thermal Resistance
(Note-1) TC (under the chip) measurement point is below.
Parameter
Limits
Typ.
Max.
UP
IGBT
27.8
–8.0
VP
WP
UN
VN
WN
BR
FWDi
27.8
1.0
IGBT
65.4
–8.0
FWDi
65.4
1.0
IGBT
87.4
–8.0
FWDi
87.4
1.0
IGBT
38.7
7.6
FWDi
38.7
–1.4
IGBT
54.5
7.6
FWDi
54.5
–1.4
IGBT
76.5
7.6
FWDi
76.5
–1.4
IGBT
18.5
–9.9
Di
18.5
5.4
arm
axis
X
Y
(unit : mm)
Bottom view
* If you use this value, Rth(f-a) should be measured just under the chips.
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1N5225B TR 功能描述:DIODE ZENER 3V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):29 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1