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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 1N5235B |
| 廠商： | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | surface mount silicon Zener diodes |
| 中文描述： | 6.8 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 文件頁數(shù)： | 4/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 37K |
| 代理商： | 1N5235B |
1996
Apr
26
4
Philips
Semiconductors
Product
specication
V
oltage
regulator
diodes
1N5225B
to
1N5267B
Notes
1. VZ is measured with device at thermal equilibrium while held in clips at 10 mm from body in still air at 25 °C.
2. For types 1N5225B to 1N5242B the IZ current is 7.5 mA; for 1N5243B and higher IZ =IZtest. SZ values valid between 25 °C and 125 °C.
1N5251B
22
600
+0.087
5.6
60
0.1
17.0
1.25
1N5252B
24
600
+0.088
5.2
55
0.1
18.0
1.25
1N5253B
25
600
+0.089
5.0
55
0.1
19.0
1.25
1N5254B
27
600
+0.090
4.6
50
0.1
21.0
1.0
1N5255B
28
600
+0.091
4.5
50
0.1
21.0
1.0
1N5256B
30
600
+0.091
4.2
50
0.1
23.0
1.0
1N5257B
33
700
+0.092
3.8
45
0.1
25.0
0.9
1N5258B
36
700
+0.093
3.4
45
0.1
27.0
0.8
1N5259B
39
800
+0.094
3.2
45
0.1
30.0
0.7
1N5260B
43
900
+0.095
3.0
40
0.1
33.0
0.6
1N5261B
47
1000
+0.095
2.7
40
0.1
36.0
0.5
1N5262B
51
1100
+0.096
2.5
40
0.1
39.0
0.4
1N5263B
56
1300
+0.096
2.2
40
0.1
43.0
0.3
1N5264B
60
1400
+0.097
2.1
40
0.1
46.0
0.3
1N5265B
62
1400
+0.097
2.0
35
0.1
47.0
0.3
1N5266B
68
1600
+0.097
1.8
35
0.1
52.0
0.25
1N5267B
75
1700
+0.098
1.7
35
0.1
56.0
0.2
TYPE No.
WORKING
VOLTAGE
VZ (V)(1)
at IZtest
DIFFERENTIAL
RESISTANCE
rdif ()
at IZtest
TEMP. COEFF.
SZ (%/K)
at IZ(2)
TEST
CURRENT
IZtest (mA)
DIODE CAP.
Cd (pF)
at f = 1 MHz;
at VR =0V
REVERSE CURRENT
at REVERSE
VOLTAGE
NON-REPETITIVE PEAK
REVERSE CURRENT
IZSM (A)
tp = 100 s; Tamb =25 °C
IR (A)
VR
(V)
NOM.
MAX.
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| 1N5235B BK | 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:5 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:3μA @ 5V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 |
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