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參數(shù)資料
| 型號： | 1N5239BT |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Absolute Maximum Ratings |
| 中文描述： | 9.1 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
| 封裝： | GLASS PACKAGE-2 |
| 文件頁數(shù)： | 3/3頁 |
| 文件大小： | 149K |
| 代理商： | 1N5239BT |
500 mW GLASS SURFACE MOUNT
ZENER DIODES
W
M
.
C
SCOTTSDALE
DIVISION
1N5221UR thru 1N5281BUR, e3
(or MLL5221 thru MLL5281B, e3)
1
B
R
NOTE 1:
Table as shown lists type numbers, which indicate a tolerance of +/-20% with guaranteed limits on only
V
Z
,
I
R
, and
V
F
. Devices with
guaranteed limits on all six parameters are indicated by suffix “A” for +/-10%, “B” for +/-5%, “C” for +/-2%, and “D” for +/-1% tolerance.
The electrical characteristics are measured after allowing the device to stabilize for 20 seconds.
Temperature coefficient (
α
vz
). Test conditions for temperature coefficient are as follows:
a.
I
ZT
= 7.5 mA, T
1
= 25
o
C,
T
2
= 125
o
C (1N5221AUR & BUR thru 1N5242AUR & BUR)
b.
I
ZT
=
Rated
I
ZT
, T
1
= 25
o
C,
T
= 125
o
C (1N5243AUR & BUR thru 1N5281AUR & BUR)
Device to be temperature stabilized with current applied prior to reading breakdown voltage at the specified ambient temperature.
NOTE 4: These devices may be ordered as either 1N5221UR thru 1N5281BUR or as MLL5221 thru MLL5281B part numbers.
NOTE 2:
NOTE 3:
GRAPHS
Microsemi
Scottsdale Division
Page 3
Copyright
2005
8-29-2005 REV B
FIGURE 1
POWER DERATING CURVE
T
EC
– End Cap Temperature (
o
C), or
T
A
Ambient Temperature on FR4 PC BOARD
T
o
C
R
NOMINAL ZENER VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 2
ZENER VOLTAGE TEMPERATURE
COEFFICIENT vs. ZENER VOLTAGE
T
o
C
Voltage Temperature
Coefficient %/
C
T
EC
T
A
mV Change /oC
CAPACITANCE vs. ZENER VOLTAGE
(TYPICAL)
PACK AGE DIMENS IONS
PAD LAYOUT
INCHES
MIN
0.063
0.130
0.016
MILLIMETERS
MIN
1.60
3.30
0.41
DIM
A
B
C
MAX
0.067
0.146
0.022
MAX
1.70
3.70
0.55
INCHES
.200
.055
.080
mm
5.08
1.40
2.03
A
B
C
FIGURE 3
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5243BT | Absolute Maximum Ratings |
| 1N5244BT | Absolute Maximum Ratings |
| 1N5246BT | Absolute Maximum Ratings |
| 1N5247BT | Absolute Maximum Ratings |
| 1N5248BT | Absolute Maximum Ratings |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 1N5239B-T | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 500MW 9.1V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| 1N5239BTA | 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 6.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 |
| 1N5239B-TAP | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 9.1 Volt 0.5W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| 1N5239B-TP | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 500mW 9.1V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| 1N5239BTR | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 9.1V 0.5W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
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