參數(shù)資料
型號： 1N5247BT50A
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： 17 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 23K
代理商： 1N5247BT50A
1N5226B
-
1N5257B
Series
1N5226B - 1N5257B Series Half Watt Zeners
Device
VZ
(V)
ZZ
(
)
IZT
(mA)
ZZK
(
)
IZK
(mA)
VR
(V)
IR
(
A)
TC
(%/
°C)
1N5226B
1N5227B
1N5228B
1N5229B
3.3
3.6
3.9
4.3
28
24
23
22
20
1,600
1,700
1,900
2,000
0.25
1.0
25
15
10
5.0
- 0.07
- 0.065
- 0.06
+/- 0.055
1N5230B
1N5231B
1N5232B
1N5233B
4.7
5.1
5.6
6.0
19
17
11
7.0
20
1,900
1,600
0.25
2.0
3.0
3.5
5.0
+/- 0.03
+/- 0.3
0.038
1N5234B
1N5235B
1N5236B
1N5237B
1N5238B
6.2
6.8
7.5
8.2
8.7
7.0
5.0
6.0
8.0
20
1,000
750
500
600
0.25
4.0
5.0
6.0
6.5
5.0
3.0
0.045
0.05
0.058
0.062
0.065
1N5239B
1N5240B
1N5241B
1N5242B
9.1
10
11
12
10
17
22
30
20
600
0.25
7.0
8.0
8.4
9.1
3.0
2.0
1.0
0.068
0.075
0.076
0.077
VF Foward Voltage = 1.1 V Maximum @ IF = 200 mA for all 1N5200 series
Absolute Maximum Ratings*
TA = 25°C unless otherwise noted
Tolerance: B = 5%
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
NOTES:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 200 degrees C.
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed
or low duty cycle operations.
*These ratings are limiting values above which the serviceability of the diode may be impaired.
**Non-recurrent square wave PW= 8.3 ms, TA= 55 degrees C.
@
Parameter
Value
Units
Storage Temperature Range
-65 to +200
°C
Maximum Junction Operating Temperature
+ 200
°C
Lead Temperature (1/16” from case for 10 seconds)
+ 230
°C
Total Device Dissipation
Derate above 75
°C
500
4.0
mW
mW/
°C
Surge Power**
10
W
NOTE: National preferred devices in BOLD
DO-35
1997 Fairchild Semiconductor Corporation
1N5200B Rev. A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
1N5243BT50R 13 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
1N5249AE3(DO7) 19 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-7
MLL5538B 18 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA
MLL5539B 19 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA
1N5249B-AP 19 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
1N5247BTA 功能描述:DIODE ZENER 17V 500MW DO35 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:17V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:19 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 12.4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000
1N5247B-TAP 功能描述:穩(wěn)壓二極管 17 Volt 0.5W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
1N5247B-TP 功能描述:穩(wěn)壓二極管 500mW 17V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
1N5247BTR 功能描述:穩(wěn)壓二極管 17V 0.5W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
1N5247B-TR 功能描述:穩(wěn)壓二極管 17 Volt 0.5 Watt RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
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