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參數(shù)資料
| 型號： | 1N5260B |
| 廠商： | DIODES INC |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| 中文描述： | 43 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 封裝： | HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 |
| 文件頁數(shù)： | 5/7頁 |
| 文件大小： | 37K |
| 代理商： | 1N5260B |
1996 Apr 26
5
Philips Semiconductors
Product specication
Voltage regulator diodes
1N5225B to 1N5267B
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1. Device mounted on a printed circuit-board without metallization pad.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
Rth j-tp
thermal resistance from junction to tie-point lead length 10 mm
300
K/W
Rth j-a
thermal resistance from junction to ambient lead length max.; see Fig.2 and note 1
380
K/W
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5350B | surface mount silicon Zener diodes |
| 1N5361B | SMKDS 1/14-3,5 |
| 1N5391 | 1.5A RECTIFIER |
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| 1N5820 | 3.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS |
相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| 1N5260B _AY _10001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
| 1N5260B A0G | 功能描述:DIODE ZENER 43V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:43V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:93 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 33V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 200mA 工作溫度:100°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 |
| 1N5260B BK | 功能描述:DIODE ZENER 43V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:43V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:93 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 33V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:2,500 |
| 1N5260B TR | 功能描述:DIODE ZENER 43V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:43V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:93 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 33V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 |
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