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參數(shù)資料
| 型號： | 1N5267B |
| 廠商： | DIODES INC |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| 中文描述： | 75 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 封裝： | HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 |
| 文件頁數(shù)： | 5/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 37K |
| 代理商： | 1N5267B |
1996 Apr 26
5
Philips Semiconductors
Product specication
Voltage regulator diodes
1N5225B to 1N5267B
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1. Device mounted on a printed circuit-board without metallization pad.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
Rth j-tp
thermal resistance from junction to tie-point lead length 10 mm
300
K/W
Rth j-a
thermal resistance from junction to ambient lead length max.; see Fig.2 and note 1
380
K/W
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| 1N5395G | 1.5A GLASS PASSIVATED RECTIFIER |
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| 1N5402G | 3.0A GLASS PASSIVATED RECTIFIER |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| 1N5267B BK | 功能描述:DIODE ZENER 75V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:75V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:270 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 56V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 |
| 1N5267B TR | 功能描述:DIODE ZENER 75V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:75V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:270 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 56V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| 1N5267B\D7 | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 75 Volt 0.5 Watt 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| 1N5267B_T50A | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
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