參數(shù)資料
型號(hào)： 1N5400G
廠商： RECTRON LTD
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： GLASS PASSIVATED JUNCTION PLASTIC RECTIFIER
中文描述： 3 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
封裝： PLASTIC PACKAGE-2
文件頁(yè)數(shù)： 1/3頁(yè)
文件大?。?/td> 220K
代理商： 1N5400G
Note:
(1) Pulse test: Pulse width 300uSec, Duty cycle 1%
Symbols
1N
5400G
1N
5401G
1N
5402G
1N
5404G
1N
5406G
1N
5407G
1N
5408G
Units
Maximum repetitive peak reverse voltage
V
RRM
50
100
200
400
600
800
1000
Volts
Maximum RMS voltage
V
RMS
35
70
140
280
420
560
700
Volts
Maximum DC blocking voltage
V
DC
50
100
200
400
600
800
1000
Volts
Average forward current T
A=105
I
F(AV)
3.0
Amps
Peak forward surge current
8.3mS half sine-wave
I
FSM
200.0
Amps
Maximum instantaneous
I
FM=3.0A; TJ=25
forward voltage
(Note 1)
V
F
1.1
Volts
Maximum DC reverse current
T
J=25
at rated DC blocking voltage
T
J=125
I
R
5.0
50.0
A
Typical junction capacitance
Measure at 1.0MHz,
V
R=4.0V
C
J
40
F
Typical thermal resistance
R
JA
30
/W
Operating and storage temperature range
T
J, TSTG
-65 to +175
Features
1N5400G THRU 1N5408G
GLASS PASSIVATED JUNCTION RECTIFIER
Reverse Voltage - 50 to 1000 Volts
Forward Current - 3.0 Amperes
DIMENSIONS
DIM
inches
mm
Note
Min.
Max.
Min.
Max.
A
0.283
0.374
7.20
9.50
B
0.189
0.208
4.80
5.30
C
0.048
0.051
1.20
1.30
D
1.000
-
25.40
-
Maximum Ratings and Electrical Characteristics @25 unless otherwise specified
1
Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability
Classification 94V-0
High temperature metallurgically bonded construction
Glass passivated cavity-free junction
Capable of meeting environmental standards of
MIL-S-19500
3.0 ampere operation at T
A=105
with no thermal runaway
Typical I
R less than 0.1
A
High temperature soldering guaranteed:
350 /10 seconds, 0.375 (9.5mm) lead length,
5 lbs. (2.3Kg) tension
Mechanical Data
Case: DO-201AD molded plastic over glass body
Terminals: Plated axial leads, solderable per
MIL-STD-750, method 2026
Polarity: Color band denotes cathode end
Mounting Position: Any
Weight: 0.042 ounce, 1.195 grams
相關(guān)PDF資料
PDF描述
1N914B SIGNAL DIODE
1N4732A surface mount silicon Zener diodes
1N4733A surface mount silicon Zener diodes
1N4735A surface mount silicon Zener diodes
1N4454 SIGNAL DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
1N5400-G 功能描述:二極管 - 通用，功率，開(kāi)關(guān) VR=50V, IO=3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
1N5400G A0G 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 3A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 50V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:25pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500
1N5400G B0G 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 3A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 50V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:25pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500
1N5400G R0 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode 50V 3A 2-Pin DO-201AD T/R
1N5400G R0G 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 3A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 50V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:25pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,250
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