參數(shù)資料
型號(hào)： 1N5402-E3/73
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 68K
代理商： 1N5402-E3/73
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2
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Revision: 04-Nov-09
1N5400 thru 1N5408
Vishay General Semiconductor
Note
(1) Thermal resistance from junction to ambient at 0.375" (9.5 mm) lead length, P.C.B. mounted with 0.8" x 0.8" (20 mm x 20 mm) copper
heatsinks
RATINGS AND CHARACTERISTICS CURVES
(TA = 25 °C unless otherwise noted)
Fig. 1 - Forward Current Derating Curve
Fig. 2 - Maximum Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
TEST
CONDITIONS
SYMBOL 1N5400
1N5401
1N5402 1N5403 1N5404 1N5405 1N5406 1N5407 1N5408 UNIT
Maximum
instantaneous
forward voltage
3.0 A
VF
1.2
V
Maximum DC
reverse current
at rated DC
blocking voltage
TA = 25 °C
IR
5.0
μA
TA = 150 °C
500
Typical junction
capacitance
4.0 V, 1 MHz
CJ
30
pF
THERMAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
SYMBOL 1N5400 1N5401 1N5402 1N5403 1N5404 1N5405 1N5406 1N5407 1N5408 UNIT
Typical thermal resistance
RθJA
(1)
20
°C/W
ORDERING INFORMATION (Example)
PREFERRED P/N
UNIT WEIGHT (g)
PREFERRED PACKAGE CODE
BASE QUANTITY
DELIVERY MODE
1N5404-E3/54
1.1
54
1400
13" diameter paper tape and reel
1N5404-E3/73
1.1
73
1000
Ammo pack packaging
0
7.0
8.0
60
40
80
100
120
140
160
180
6.0
4.0
5.0
3.0
1.0
2.0
T
L = Lead Temp.
with Both Leads Heat
Sink Mounted with
Length (L) as shown
A
v
erage
Forwar
d
Rectified
Curr
ent
(A)
Lead Temperature (°C)
T
A = Ambient Temperature
0.375" (9.5 mm) Lead Length
P.C.B. Mounted
L =
0.50
" (12.7
mm)
L =
0.31
" (7.9
mm)
L =
0.25
" (6.4
mm)
60 Hz Resistive
or Inductive Load
1000
100
10
1
100
10
Number of Cycles at 60 Hz
In
s
tantaneou
s
Forwar
d
S
ur
ge
Curr
ent
(A)
1.0 Cycle
T
L = 105 °C
8.3 ms Single Half Sine-Wave
相關(guān)PDF資料
PDF描述
150K200APBF 150 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-205AA
152KR5AMPBF 150 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
15CTQ040-017PBF 15 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
15CTQ045-010PBF 15 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
16F10S05PBF 16 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
1N5402G 功能描述:整流器 200V 3A Standard RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
1N5402-G 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) VR=200V, IO=3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
1N5402G A0G 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1V @ 3A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 200V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:25pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500
1N5402G B0G 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1V @ 3A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 200V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:25pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500
1N5402G R0 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode 200V 3A 2-Pin DO-201AD T/R
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