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參數(shù)資料
| 型號： | 1N5407G |
| 廠商： | DIODES INC |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | 3.0A GLASS PASSIVATED RECTIFIER |
| 中文描述： | 3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件頁數(shù)： | 3/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 220K |
| 代理商： | 1N5407G |
RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES
3
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N4003 | 1.0A RECTIFIER |
| 1N4005 | 1.0A RECTIFIER |
| 1N4934 | 1.0A FAST RECOVERY RECTIFIER |
| 1N4936 | 2 1/2" Freq. Meter 55-65Hz, 120VAC - UL Recognized - Stylist Series RoHS Compliant: NA |
| 1N5817 | IC ENCORE XP MCU FLASH 4K 20SOIC |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 1N5407-G | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關 VR=800V, IO=3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
| 1N5407G A0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 800V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:25pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD，軸向 供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標準包裝:1 |
| 1N5407G B0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 800V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:25pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD，軸向 供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標準包裝:500 |
| 1N5407G R0 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode 800V 3A 2-Pin DO-201AD T/R |
| 1N5407G R0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 800V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:25pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD，軸向 供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標準包裝:1,250 |
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