型號: | 1N5416V |
廠商: | SENSITRON SEMICONDUCTOR |
元件分類: | 整流器 |
英文描述: | 3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
文件頁數: | 1/2頁 |
文件大?。?/td> | 132K |
代理商: | 1N5416V |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
1N5615X | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
1N6109 | 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
1N5445C | VHF-UHF BAND, 15 pF, 30 V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
1N5449A | VHF-UHF BAND, 27 pF, 30 V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
1N5453A | VHF-UHF BAND, 56 pF, 30 V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
---|---|
1N5417 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Diode Switching 200V 3A 2-Pin Case E 制造商:Sensitron Semiconductors 功能描述:Diode Switching 200V 3A 2-Pin Case 303 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:FAST RECOVERY RECTFR 200V 3A 2PIN E - Bulk 制造商:Microsemi 功能描述:Diode Switching 200V 3A 2-Pin Case E |
1N5417/4 | 功能描述:整流器 3.0 Amp 200 Volt RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
1N5417C.TR | 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 4.5A AXIAL 制造商:semtech corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):4.5A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.1V @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):150ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 200V 不同?Vr,F 時的電容:250pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:軸向 供應商器件封裝:軸向 工作溫度 - 結:- 標準包裝:1 |
1N5417-E3/54 | 功能描述:整流器 3.0 Amp 200 Volt RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
1N5417JAN | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述: |