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參數資料
| 型號： | 1N5639B |
| 元件分類： | TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制 |
| 英文描述： | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-13 |
| 封裝： | HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-2 |
| 文件頁數： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 212K |
| 代理商： | 1N5639B |
Silicon Avalanche Diodes
314
www .littelfuse .com
100
10
1
0.1
1
s10s
100
1ms
10ms
Pulse Time (tp)
Peak
Pulse
Power
-
Pp
(kW
)
Exponential wave-form
Square wave-pulse
s
100ns
Figure 3 - Peak Pulse Power vs. Pulse Time
0
°C50°C
100
°C150°C
200
°C
Tamb
°C
100%
50%
0
Permissable
area of
operation
0
°C50°C
100
°C150°C
200
°C
Tamb
°C
W
1.0
0.75
0.50
0.25
0
Permissable
area of
operation
Figure 2 - Continuous D.C. Power Derating
CurveContinuous d.c. power dissipation
Figure 1 - Peak Power Derating Curve
Peak pulse power in percent of 25C rating
Measured @
Zero Bias
Measured at
Stand-Off
Voltage (VR)
Reverse Voltage, Volts V(BR)
Cj (pf)
1.0 2
510 20
5
0 100 200
20,000
10,000
6000
4000
2000
1000
800
600
400
200
100
80
60
40
30
10
Figure 4 - Typical Junction Capacitance
1500 Watt Metal Axial Leaded Transient Voltage Suppressors
1N56 Series
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5642AB | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-13 |
| 1N5642B | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-13 |
| 1N5645AB | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-13 |
| 1N5647B | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-13 |
| 1N5654B | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-13 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 1N5640 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS SGL UNI-DIR 16.2V 1.5KW 2PIN DO-13 - Bulk |
| 1N5640A | 功能描述:DIODE TVS 20V 1500W AXL UNI 5% RoHS:否 類別:過電壓，電流，溫度裝置 >> TVS - 二極管 系列:1N56 標準包裝:2,000 系列:TransZorb® 電壓 - 反向隔離（標準值）:8V 電壓 - 擊穿:8.89V 功率（瓦特）:500W 電極標記:單向 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AC，DO-15，軸向 供應商設備封裝:DO-204AC（DO-15） 包裝:帶盒（TB） |
| 1N5640AJANTX | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述: |
| 1N5640AJANTXV | 制造商: 功能描述: |
| 1N5641 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS SGL UNI-DIR 17.8V 1.5KW 2PIN DO-13 - Bulk |
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