- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄368786 > 1N5806US (MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE) RECTIFIERS HIGH EFFICIENCY, ESP, 2.5 AMP TO 20 AMP PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | 1N5806US |
| 廠商： | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | RECTIFIERS HIGH EFFICIENCY, ESP, 2.5 AMP TO 20 AMP |
| 中文描述： | 2.5 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封裝： | HERMETIC SEALED, GLASS, A, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 46K |
| 代理商： | 1N5806US |
MSC1344.PDF 02-23-99
1N5802
1N5804
1N5806
JANHCE and JANKCE
JANHCF and JANKCF
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
CHARACTERISTIC
Reverse Current
Rated V
R
, T
C
= 25
°
C
Reverse Current
Rated V
R
, T
C
= 100
°
C
Forward Voltage Drop I
F
=
1A, T
C
= 25
°
C
Junction Capacitance @ V
R
= 10V
SYMBOL
TYPICAL
MAX.
UNITS
I
R
.01
1
μ
A
I
R
V
F
Cj
1.0
.80
15
50
.875
25
μ
A
Volts
Pf
REVERSE RECOVERY CHARACTERISTICS:
CHARACTERISTIC
Reverse Recovery Time
I
F
= 0.5A, I
R
= 0.5A, I
RR
= 0.05A
SYMBOL
TYPICAL
MAX.
UNITS
Trr
20
25
ns
Forward Recovery Voltage @ 1A Trr = 8ns
Forward Recovery Time
I
FM
= 250 mA
Vrr
1.5
2.2
V
15
ns
2.5 AMPS
FAST RECOVERY
RECTIFIER CHIP
50 - 150 VOLTS
FEATURES:
Chip Outline Dimensions: 41 x 41 mils
Chip Thickness: 8 to 12 mils
Anode Metallization: Aluminum
Metallization Thickness: 50,000
Nominal
Bonding Area: 23 x 23 mils Min.
Back Metallization: Gold
Junction Passivated with Thermal Silicon Dioxide - Planar Design
Backside Available with Solderable Ag Backside as JANHCF or
JANKCF
TYPE
V
R
50V
100V
150V
50V
100V
150V
V
BR
60V
110V
160V
60V
110V
160V
I
O
Tj = 75
°
C
2.5A
2.5A
2.5A
2.5A
2.5A
2.5A
JANHCE1N5802
JANHCE1N5804
JANHCE1N5806
JANKCE1N5802
JANKCE1N5804
JANKCE1N5806
7516 Central Industrial Drive
Riviera Beach, Florida
33404
PHONE: (561) 842-0305
FAX: (561) 845-7813
Chip Type:
RH
A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5804 | 2.5 AMPS FAST RECOVERY RECTIFIER CHIP 50 - 150 VOLTS |
| 1N5804US | MILITARY APPROVED HIGH EFFICIENCY 2.5 AMP AND 6.0 AMP |
| 1N5802 | 2.5 AMPS FAST RECOVERY RECTIFIER CHIP 50 - 150 VOLTS |
| 1N5802-1 | 2.5 AMPS FAST RECOVERY RECTIFIER CHIP 50 - 150 VOLTS |
| 1N5802US | MILITARY APPROVED HIGH EFFICIENCY 2.5 AMP AND 6.0 AMP |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 1N5806US/TR | 功能描述:UFR,FRR 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:975mV @ 2.5A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:25ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 150V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:25pF @ 10V，1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF，A 供應商器件封裝:D-5A 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標準包裝:100 |
| 1N5806US/TR7 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:STANDARD RECTIFIER - Tape and Reel |
| 1N5806USE3 | 制造商:Microwave Semiconductor 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 1N5806USE3/TR | 功能描述:UFR,FRR 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:975mV @ 2.5A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:25ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 150V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:25pF @ 10V，1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF，A 供應商器件封裝:D-5A 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標準包裝:100 |
| 1N5806USJANS | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Diode Switching 150V 2.5A 2-Pin A-MELF T/R 制造商:Sensitron Semiconductors 功能描述:Diode Switching 150V 2.5A 2-Pin MELF-A 制造商:Microsemi 功能描述:Diode Switching 150V 2.5A 2-Pin A-MELF T/R |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。