型號(hào): | 1N5809USS |
廠商: | SENSITRON SEMICONDUCTOR |
元件分類: | 參考電壓二極管 |
英文描述: | 3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
文件頁數(shù): | 1/1頁 |
文件大?。?/td> | 50K |
代理商: | 1N5809USS |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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1N5811 | 3 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
1N5946BTR-RPCU | 75 V, 1.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
1N6273CAMP | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
1N6276CAMP | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
1N6301CAMP | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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1N5810 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ULTRA FAST RECOVERY RECTFR 125V 6A 2PIN B - Bulk |
1N5811 | 功能描述:DIODE 150V 6A 25NS AXIAL RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - (Vr)(最大):50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)(最大):1.4V @ 6A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座,接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA,DO-4,接線柱 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879 |
1N5811 (CAT3) | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:1N5811 |
1N5811 | 制造商:Solid State Devices Inc (SSDI) 功能描述:STANDARD DIODE 6A 150V G4 |
1N5811C.TR | 功能描述:DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL 制造商:semtech corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):150V 電流 - 平均整流(Io):6A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf:875mV @ 4A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):30ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 150V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:60pF @ 5V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:軸向 供應(yīng)商器件封裝:軸向 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |