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參數(shù)資料
| 型號： | 1N5818 |
| 廠商： | Comchip Technology Co., Ltd. |
| 英文描述： | Schottky Barrier Rectifier |
| 中文描述： | 肖特基整流器 |
| 文件頁數(shù)： | 8/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 37K |
| 代理商： | 1N5818 |
1996 May 03
8
Philips Semiconductors
Product specication
Schottky barrier diodes
1N5817; 1N5818; 1N5819
Fig.10 1N5819. Maximum permissible junction
temperature as a function of reverse voltage;
Rth j-a = 100 K/W.
handbook, halfpage
010
20
40
200
150
50
0
100
MBG433
30 V
R (V)
Tj
(oC)
VRWM
δ = 0.2
VR
VRWM
δ = 0.5
Fig.11 1N5819. Reverse power dissipation as a
function of reverse voltage (max. values);
Rth j-a = 100 K/W.
handbook, halfpage
040
0.20
0.15
0.05
0
0.10
MBG436
20
30
10
VR (V)
PR
(W)
VRWM
δ = 0.2
VR
VRWM
δ = 0.5
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