參數(shù)資料
型號: 1N5819
廠商: STMICROELECTRONICS
元件分類: 二極管(射頻、小信號、開關(guān)、功率)
英文描述: 1 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
封裝: PLASTIC PACKAGE-2
文件頁數(shù): 4/5頁
文件大?。?/td> 56K
代理商: 1N5819
1N581x
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0
5
10
15
20
25
30
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
IR(mA)
1N5817
1N5818
VR(V)
Tj=100°C
Tj=25°C
Tj=125°C
Fig. 8-1: Reverse leakage current versus reverse
voltage applied (typical values) (1N5817/1N5818).
0
5
10
15
20
30
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40
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
IR(mA)
VR(V)
Tj=100°C
Tj=25°C
Tj=125°C
Fig. 8-2: Reverse leakage current versus reverse
voltage applied (typical values) (1N5819).
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
0.01
0.10
1.00
10.00
IFM(A)
VFM(V)
Tj=25°C
Tj=100°C
Tj=125°C
Fig. 9-1: Forward voltage drop versus forward
current (typical values) (1N5817/1N5818).
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1
0.01
0.10
1.00
10.00
IFM(A)
VFM(V)
Tj=25°C
Tj=100°C
Tj=125°C
Fig. 9-2: Forward voltage drop versus forward
current (typical values) (1N5819).
1
10
100
1000
0
5
10
15
20
25
30
IFSM(A)
Number of cycles
F=50Hz
Tj initial=25°C
Fig. 10: Non repetitive surge peak forward current
versus number of cycles.
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PDF描述
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