型號: | 1N6302/4H-E3 |
廠商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
元件分類: | 參考電壓二極管 |
英文描述: | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
封裝: | PLASTIC, CASE 1.5KE, 2 PIN |
文件頁數(shù): | 6/7頁 |
文件大?。?/td> | 170K |
代理商: | 1N6302/4H-E3 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
1N6303/4F-E3 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
1N6296A/51-E3 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
1N6271A/54-E3 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
1N6286/73-E3 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
1N6297/54-E3 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
1N6302A | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 180V 1500W RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
1N6302A-E3/54 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 1500W 180V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
1N6302A-E3/73 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 1500W 180V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
1N6302AE3/TR13 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:1500W, BREAKDOWN VOLTAGE = 180V, ? 5%, UNI-DIR - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS UNI 1.5KW 180V 5% DO-201AD |
1N6302AG | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 180V 1500W Unidirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |