型號(hào): | 1N6375 |
元件分類(lèi): | TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制 |
英文描述: | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
文件頁(yè)數(shù): | 4/4頁(yè) |
文件大?。?/td> | 104K |
代理商: | 1N6375 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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1N833A | SILICON, ZERO BARRIER SCHOTTKY, VHF-X BAND, MIXER DIODE |
1N832C | SILICON, X BAND, MIXER DIODE |
1N26C | SILICON, K BAND, MIXER DIODE |
1N4446T26R | 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
1N5222BTR | 2.5 V, 0.48 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AH |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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1N6375/54 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 1500W 10V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
1N6375-E3/4 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 1500W 10V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
1N6375-E3/51 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 1500W 10V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
1N6375-E3/54 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 1500W 10V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |