參數(shù)資料
型號(hào)： 1N6381RL4G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： 1500 Watt Peak Power Mosorb TM Zener Transient Voltage Suppressors
中文描述： 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
封裝： LEAD FREE, PLASTIC, MOSORB, CASE 41A-04, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/8頁(yè)
文件大小： 85K
代理商： 1N6381RL4G
1N6373 1N6381 Series (ICTE5 ICTE36, MPTE5 MPTE45)
http://onsemi.com
5
1N6373, ICTE-5, MPTE-5,
through
1N6389, ICTE-45, C, MPTE-45, C
1.5KE6.8CA
through
1.5KE200CA
Figure 6. Dynamic Impedance
1000
500
200
100
50
20
10
5
2
1
1000
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0.3
0.5
0.7
1
2
3
5
7
10
20
30
V
BR
, INSTANTANEOUS INCREASE IN V
BR
ABOVE V
BR(NOM)
(VOLTS)
0.3
0.5
0.7
1
2
3
5
7
10
20 30
V
BR
, INSTANTANEOUS INCREASE IN V
BR
ABOVE V
BR(NOM)
(VOLTS)
I
V
BR(MIN)
=6.0 to 11.7V
19V
21.2V
T
L
=25
°
C
t
P
=10
s
V
BR(NOM)
=6.8 to 13V
20V
24V
43V
75V
180V
120V
42.4V
Figure 7. Typical Derating Factor for Duty Cycle
D
1 ms
10 s
1
0.7
0.5
0.3
0.05
0.1
0.07
0.2
0.01
0.02
0.03
100 s
0.1
0.2
0.5
2
5
10
50
1
20
100
D, DUTY CYCLE (%)
PULSE WIDTH
10 ms
T
L
=25
°
C
t
P
=10
s
I
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PDF描述
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參數(shù)描述
1N6382 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:Zener Transient Voltage Suppressors Unidirectional and Bidirectional
1N6382/1 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 1500W 8.0V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
1N6382/4 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 1500W 8.0V Bidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
1N6382/54 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 1500W 8.0V Bidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
1N6382/D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:1500 Watt Peak Power Mosorb? Zener Transient Voltage Suppressors
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