型號: | 1N6382/4F |
廠商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
元件分類: | 參考電壓二極管 |
英文描述: | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
封裝: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 1.5KE, 2 PIN |
文件頁數(shù): | 5/5頁 |
文件大小: | 91K |
代理商: | 1N6382/4F |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
1N6383/71 | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
1N6383/72 | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
1N6383/4G | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
1N6383/91 | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
1N6383/60 | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
1N6382-E3/1 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 1500W 8.0V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
1N6382-E3/4 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 1500W 8.0V Bidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
1N6382-E3/51 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 1500W 8.0V Bidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
1N6382-E3/54 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 1500W 8.0V Bidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
1N6382-E3/73 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 1500W 8.0V Bidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |