參數(shù)資料
型號： 1N758A
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： 10 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AH
封裝： DO-35, GLASS PACKAFGE-2
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 88K
代理商： 1N758A
1N746A thru 1N759A
Vishay Semiconductors
formerly General Semiconductor
www.vishay.com
Document Number 88306
2
25-Jul-02
Electrical Characteristics (TA = 25°C unless otherwise noted) Maximum VF = 1.5V at IF = 200mA
Nominal
Maximum Reverse Leakage Current
Zener Voltage
Maximum Zener Impedance
VZ at IZT
(3)
Test Current
ZZT at IZT
(1)
Maximum Regulator Current
TA = 25°C
TA = 150°C
Type Number
(Volts)
IZT (mA)
()IZM
(2) (mA)
IR at VR = 1V (A) IR at VR = 1V (A)
1N746A
3.3
20
28
110
10
30
1N747A
3.6
20
24
100
10
30
1N748A
3.9
20
23
95
10
30
1N749A
4.3
20
22
85
2
30
1N750A
4.7
20
19
75
2
30
1N751A
5.1
20
17
70
1
20
1N752A
5.6
20
11
65
1
20
1N753A
6.2
20
7
60
0.1
20
1N754A
6.8
20
5
55
0.1
20
1N755A
7.5
20
6
50
0.1
20
1N756A
8.2
20
8
45
0.1
20
1N757A
9.1
20
10
40
0.1
20
1N758A
10
20
17
35
0.1
20
1N759A
12
20
30
0.1
20
Notes:
(1) The Zener impedance is derived from the 1 kHz AC voltage which results when an AC current having an RMS value equal to 10% of the Zener current (IZT)
is superimposed on IZT. Zener impedance is measured at two points to insure a sharp knee on the breakdown curve and to eliminate unstable units.
(2) Valid provided that leads at a distance of 0.575" (9.52mm) from case are kept at ambient temperature.
(3) Measured with device junction in thermal equilibrium.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
1N752C-TP 5.6 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
1N754-TP 6.8 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
1N829A 6.2 V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE, DO-35
1N939BLEADFREE 9 V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE, DO-7
1N942BUR-1 11.7 V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE, DO-213AA
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參數(shù)描述
1N758A BK 功能描述:DIODE ZENER 10V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:10V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:17 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500
1N758A NSC90 制造商:National Semiconductor 功能描述:1N758A
1N758A TR 功能描述:DIODE ZENER 10V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:10V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:17 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
1N758A_S00Z 功能描述:穩(wěn)壓二極管 10V 0.5W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
1N758A_T50A 功能描述:穩(wěn)壓二極管 10V 0.5W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
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