型號(hào): | 1PMT4099C |
廠商: | MICROSEMI CORP |
元件分類(lèi): | 參考電壓二極管 |
英文描述: | Ultra-Low-Voltage SC70 Voltage Detectors and µP Reset Circuits |
中文描述: | 6.8 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-216AA |
封裝: | ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, PLASTIC, DO-216, 2 PIN |
文件頁(yè)數(shù): | 1/2頁(yè) |
文件大小: | 210K |
代理商: | 1PMT4099C |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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1PMT4099C/TR13 | 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 1W DO216 制造商:microsemi corporation 系列:POWERMITE? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱(chēng)值)(Vz):6.8V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):200 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 5.17V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-216AA 供應(yīng)商器件封裝:DO-216 標(biāo)準(zhǔn)包裝:12,000 |
1PMT4099C/TR7 | 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 1W DO216 制造商:microsemi corporation 系列:POWERMITE? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱(chēng)值)(Vz):6.8V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):200 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 5.17V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-216AA 供應(yīng)商器件封裝:DO-216 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 |
1PMT4099CE3/TR13 | 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 1W DO216 制造商:microsemi corporation 系列:POWERMITE? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱(chēng)值)(Vz):6.8V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):200 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 5.17V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-216AA 供應(yīng)商器件封裝:DO-216 標(biāo)準(zhǔn)包裝:12,000 |
1PMT4099CE3/TR7 | 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 1W DO216 制造商:microsemi corporation 系列:POWERMITE? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱(chēng)值)(Vz):6.8V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):200 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 5.17V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-216AA 供應(yīng)商器件封裝:DO-216 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 |
1PMT4099D | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱(chēng):Microsemi Corporation 功能描述:Powermite LOW NOISE 1 WATT Zener Diodes |