參數(shù)資料
型號(hào)： 1PMT5925D
廠商： MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： 10 V, 3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-216AA
封裝： DO-216, 2 PIN
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 110K
代理商： 1PMT5925D
MSC0995.PDF
ISO 9001 CERTIFIED
REV F 11/01/99
8700 E. Thomas Road
Scottsdale, AZ 85251
Tel: (480) 941-6300
Fax: (480) 947-1503
DESCRIPTION
In Microsemi's Powermite
surface mount package, these zener diodes
provide power-handling capabilities (3.0 WATTS) found in larger packages.
In addition to its size advantages, Powermite
package features include a
full metallic bottom that eliminates the possibility of solder flux entrapment
during assembly, and a unique locking tab acts as an integral heat sink. Its
innovative design makes this device ideal for use with automatic insertion
equipment.
FEATURES
Surface Mount Packaging
Integral Heat Sink Locking Tabs
Compatible with automatic insertion equipment
Full metallic bottom eliminates flux entrapment
Zener voltage 3.3 to 200 Volts
Low reverse leakage
Tight tolerance available
ESD Rating of >16kV per human body model
MAXIMUM RATINGS
Packaging
Junction and storage temperatures: -55
°C to +150°C
Tape & Reel EIA Standard 481
DC power dissipation: 3.0 watt with TAB 1
60°C
Forward voltage:
@ 200 mA 1.2 volts
Mechanical Specifications
Mounting Pad Dimensions
POWERMITE
3.0 WATT
Zener Diodes
1PMT5913B
thru
1PMT5956B
MECHANICAL CHARACTERISTICS
Cathode designated by TAB 1
Mounting position any way
Molded package
Weight: 0.016 gram (approximate)
Thermal resistance 30°C/W junction to TAB1
PACKAGING
Tape & Reel EIA Standard 481
7 inch 3,000 pieces
13 inch 12,000 pieces
CIRCUIT DIAGRAM
DO-216
All dimensions +/- .005 inches
Inches
相關(guān)PDF資料
PDF描述
1PMT5947B 82 V, 3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-216AA
1PMT5948C 91 V, 3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-216AA
1PMT5933B 22 V, 3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-216AA
1PMT5943C 56 V, 3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-216AA
1R5JH45 1.5 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
1PMT5925E3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 10V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:10V 容差:±20% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:4.5 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 8V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-216AA 供應(yīng)商器件封裝:DO-216AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:12,000
1PMT5925E3/TR7 功能描述:DIODE ZENER 10V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:10V 容差:±20% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:4.5 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 8V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-216AA 供應(yīng)商器件封裝:DO-216AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
1PMT5926/TR13 功能描述:DIODE ZENER 11V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:11V 容差:±20% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:5.5 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 8.4V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-216AA 供應(yīng)商器件封裝:DO-216AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:12,000
1PMT5926/TR7 功能描述:DIODE ZENER 11V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:11V 容差:±20% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:5.5 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 8.4V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-216AA 供應(yīng)商器件封裝:DO-216AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
1PMT5926A/TR13 功能描述:DIODE ZENER 11V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:11V 容差:±10% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:5.5 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 8.4V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-216AA 供應(yīng)商器件封裝:DO-216AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:12,000
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