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參數(shù)資料
| 型號： | 1PMT5933BT3 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | 3.2 Watt Plastic Surface Mount POWERMITE Package |
| 中文描述： | 22 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-216AA |
| 封裝： | PLASTIC, CASE 457-04, POWERMITE, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 62K |
| 代理商： | 1PMT5933BT3 |
Zener Voltage Regulator
I
F
V
I
I
R
I
ZT
V
R
V
Z
V
F
1PMT5920B Series
http://onsemi.com
2
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
DC Power Dissipation @ T
A
= 25
°
C (Note 1)
Derate above 25
°
C
Thermal Resistance from Junction to Ambient
°
P
D
°
R
JA
500
4.0
248
°
mW
mW/
°
C
°
C/W
Thermal Resistance from Junction to Lead (Anode)
R
Janode
35
°
C/W
Maximum DC Power Dissipation (Note 2)
Thermal Resistance from Junction to Tab (Cathode)
°
P
D
°
R
Jcathode
3.2
23
W
°
C/W
Operating and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
55 to +150
°
C
1. Mounted with recommended minimum pad size, PC board FR4.
2. At Tab (Cathode) temperature, T
tab
= 75
°
C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
L
= 25
°
C unless
otherwise noted, V
F
= 1.5 V Max. @ I
F
= 200 mAdc for all types)
Symbol
Parameter
V
Z
Reverse Zener Voltage @ I
ZT
I
ZT
Reverse Current
Z
ZT
Maximum Zener Impedance @ I
ZT
I
ZK
Reverse Current
Z
ZK
Maximum Zener Impedance @ I
ZK
I
R
Reverse Leakage Current @ V
R
V
R
Reverse Voltage
I
F
Forward Current
V
F
Forward Voltage @ I
F
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
L
= 30
°
C unless otherwise noted, V
F
= 1.25 Volts @ 200 mA)
Zener Voltage
(Note 3)
Z
ZT
@ I
ZT
(Note 4)
Z
ZK
@ I
ZK
(Note 4)
Device
Marking
V
Z
@ I
ZT
(Volts)
I
ZT
(mA)
I
R
@ V
R
( A)
V
R
(V)
I
ZK
(mA)
Device
Min
Nom
Max
( )
( )
1PMT5920BT1, T3
20B
5.89
6.2
6.51
60.5
5.0
4.0
2.0
200
1.0
1PMT5921BT1, T3
21B
6.46
6.8
7.14
55.1
5.0
5.2
2.5
200
1.0
1PMT5922BT1, T3
22B
7.12
7.5
7.88
50
5.0
6.0
3.0
400
0.5
1PMT5923BT1, T3
23B
7.79
8.2
8.61
45.7
5.0
6.5
3.5
400
0.5
1PMT5924BT1, T3
24B
8.64
9.1
9.56
41.2
5.0
7.0
4.0
500
0.5
1PMT5925BT1, T3
25B
9.5
10
10.5
37.5
5.0
8.0
4.5
500
0.25
1PMT5927BT1, T3
27B
11.4
12
12.6
31.2
1.0
9.1
6.5
550
0.25
1PMT5929BT1, T3
29B
14.25
15
15.75
25
1.0
11.4
9.0
600
0.25
1PMT5930BT1, T3
30B
15.2
16
16.8
23.4
1.0
12.2
10
600
0.25
1PMT5931BT1, T3
31B
17.1
18
18.9
20.8
1.0
13.7
12
650
0.25
1PMT5933BT1, T3
33B
20.9
22
23.1
17
1.0
16.7
17.5
650
0.25
1PMT5934BT1, T3
34B
22.8
24
25.2
15.6
1.0
18.2
19
700
0.25
1PMT5935BT1, T3
35B
25.65
27
28.35
13.9
1.0
20.6
23
700
0.25
1PMT5936BT1, T3
36B
28.5
30
31.5
12.5
1.0
22.8
28
750
0.25
1PMT5939BT1, T3
39B
37.05
39
40.95
9.6
1.0
29.7
45
900
0.25
1PMT5941BT1, T3
3. Zener voltage is measured with the device junction in thermal equilibrium with an ambient temperature of 25
°
C.
4. Zener Impedance Derivation Z
ZT
and Z
ZK
are measured by dividing the AC voltage drop across the device by the AC current applied. The
specified limits are for I
Z
(ac) = 0.1 I
Z
(dc) with the ac frequency = 60 Hz.
41B
44.65
47
49.35
8.0
1.0
35.8
67
1000
0.25
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1PMT5929BT3 | 3.2 Watt Plastic Surface Mount POWERMITE Package |
| 1PMT5930BT1 | 3.2 Watt Plastic Surface Mount POWERMITE Package |
| 1PMT5931BT1 | 3.2 Watt Plastic Surface Mount POWERMITE Package |
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| 1PMT5933BT1 | 3.2 Watt Plastic Surface Mount POWERMITE Package |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| 1PMT5933C/TR13 | 功能描述:DIODE ZENER 22V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:22V 容差:±2% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:17.5 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 16.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-216AA 供應商器件封裝:DO-216AA 標準包裝:12,000 |
| 1PMT5933C/TR7 | 功能描述:DIODE ZENER 22V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:22V 容差:±2% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:17.5 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 16.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-216AA 供應商器件封裝:DO-216AA 標準包裝:3,000 |
| 1PMT5933CE3/TR13 | 功能描述:DIODE ZENER 22V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:22V 容差:±2% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:17.5 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 16.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-216AA 供應商器件封裝:DO-216AA 標準包裝:12,000 |
| 1PMT5933CE3/TR7 | 功能描述:DIODE ZENER 22V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:22V 容差:±2% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:17.5 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 16.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-216AA 供應商器件封裝:DO-216AA 標準包裝:3,000 |
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