型號: | 1PMT5936BT3 |
廠商: | ON SEMICONDUCTOR |
元件分類: | 參考電壓二極管 |
英文描述: | 3.2 Watt Plastic Surface Mount POWERMITE Package |
中文描述: | 30 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-216AA |
封裝: | PLASTIC, CASE 457-04, POWERMITE, 2 PIN |
文件頁數(shù): | 7/8頁 |
文件大?。?/td> | 62K |
代理商: | 1PMT5936BT3 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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1PMT5936BT3G | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:3.2 Watt Plastic Surface Mount POWERMITE Package |
1PMT5936C/TR13 | 功能描述:DIODE ZENER 30V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):30V 容差:±2% 功率 - 最大值:3W 阻抗(最大值)(Zzt):28 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 22.8V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-216AA 供應商器件封裝:DO-216AA 標準包裝:12,000 |
1PMT5936C/TR7 | 功能描述:DIODE ZENER 30V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):30V 容差:±2% 功率 - 最大值:3W 阻抗(最大值)(Zzt):28 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 22.8V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-216AA 供應商器件封裝:DO-216AA 標準包裝:3,000 |
1PMT5936CE3/TR13 | 功能描述:DIODE ZENER 30V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):30V 容差:±2% 功率 - 最大值:3W 阻抗(最大值)(Zzt):28 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 22.8V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-216AA 供應商器件封裝:DO-216AA 標準包裝:12,000 |
1PMT5936CE3/TR7 | 功能描述:DIODE ZENER 30V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):30V 容差:±2% 功率 - 最大值:3W 阻抗(最大值)(Zzt):28 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 22.8V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-216AA 供應商器件封裝:DO-216AA 標準包裝:3,000 |