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2SC6040,T2Q(J

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  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
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2SC6040,T2Q(J PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • TRANS NPN 1A 800V SC71
  • 制造商
  • toshiba semiconductor and storage
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 散裝
  • 零件狀態(tài)
  • 停產(chǎn)
  • 晶體管類(lèi)型
  • NPN
  • 電流 - 集電極（Ic）（最大值）
  • 1A
  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）
  • 800V
  • 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）
  • 1V @ 100mA，800mA
  • 電流 - 集電極截止（最大值）
  • 100μA（ICBO）
  • 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）
  • 60 @ 100mA，5V
  • 功率 - 最大值
  • 1W
  • 頻率 - 躍遷
  • -
  • 工作溫度
  • 150°C（TJ）
  • 安裝類(lèi)型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • SC-71
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • MSTM
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
2SC6040,T2Q(J 技術(shù)參數(shù)
  • 2SC6040(TPF2,Q,M) 功能描述:TRANS NPN 1A 800V SC71 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:800V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 100mA，800mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:SC-71 供應(yīng)商器件封裝:MSTM 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SC6037J0L 功能描述:TRANS NPN 12V 0.5A SSMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:250mV @ 10mA，200mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:270 @ 10mA，2V 功率 - 最大值:125mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-89，SOT-490 供應(yīng)商器件封裝:SS迷你型3-F1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SC6036G0L 功能描述:TRANS NPN 12V 0.5A SSSMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:250mV @ 10mA，200mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:270 @ 10mA，2V 功率 - 最大值:100mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-723 供應(yīng)商器件封裝:SSS迷你型3-F2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SC603600L 功能描述:TRANS NPN 12V 0.5A SSSMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:250mV @ 10mA，200mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:270 @ 10mA，2V 功率 - 最大值:100mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-723 供應(yīng)商器件封裝:SSS迷你型3-F1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SC6026MFVGR,L3F 功能描述:TRANS NPN 50V 0.15A VESM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:150mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:250mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA，6V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:60MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-723 供應(yīng)商器件封裝:VESM 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SC6082-1E 2SC6082-EPN-1E 2SC6094-TD-E 2SC6095-TD-E 2SC6096-TD-E 2SC6096-TD-H 2SC6097-E 2SC6097-TL-E 2SC6098-E 2SC6098-TL-E 2SC6099-E 2SC6099-TL-E 2SC6114T2LQ 2SC6114T2LR 2SC6139,T2F(M 2SC6144 2SC6144SG 2SC6145
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