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2SK4065-DL-E

配單專(zhuān)家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • 2SK4065-DL-E
    2SK4065-DL-E

    2SK4065-DL-E

  • 深圳市琦凌凱科技有限公司
    深圳市琦凌凱科技有限公司

    聯(lián)系人:彭先生

    電話:1331648214918276240346

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道荔村社區(qū)振興路120號(hào)賽格科技園4棟中10層10A19

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • ON/安森美

  • D2PAK

  • 22+

  • -
  • 十年配單,只做原裝

  • 2SK4065-DL-E
    2SK4065-DL-E

    2SK4065-DL-E

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號(hào))

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • ONSemiconductor

  • 原廠封裝

  • 最新批號(hào)

  • -
  • 一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨!

  • 2SK4065-DL-E
    2SK4065-DL-E

    2SK4065-DL-E

  • 深圳市貿(mào)盛微電子有限公司
    深圳市貿(mào)盛微電子有限公司

    聯(lián)系人:周先生

    電話:0755-8220875218127068687

    地址:深圳市羅湖區(qū)嘉賓路友誼大廈五棟3樓G

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 1000

  • SONYO

  • 10+

  • -
  • 專(zhuān)業(yè)經(jīng)銷(xiāo),原裝正品

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共28條 
  • 1
2SK4065-DL-E PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET POWER MOSFET
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
2SK4065-DL-E 技術(shù)參數(shù)
  • 2SK4065-DL-1EX 功能描述:MOSFET N-CH 75V TO263-2 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):75V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):100A(Ta) 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):220nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):12200pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散(最大值):1.65W(Ta),90W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):6 毫歐 @ 50A,10V 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:TO-263-2 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:800 2SK4065-DL-1E 功能描述:MOSFET N-CH 75V 100A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓(Vdss):75V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):100A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):6 毫歐 @ 50A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):220nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):12200pF @ 20V 功率 - 最大值:1.65W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:TO-263-2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:800 2SK4043LS 功能描述:MOSFET N-CH 30V 20A TO-220FI 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):20A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):21 毫歐 @ 10A,4V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):37nC @ 4V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):3000pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220FI(LS) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 2SK4037(TE12L,Q) 功能描述:MOSFET N-CH PW-X 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類(lèi)型:N 通道 頻率:470MHz 增益:11.5dB 電壓 - 測(cè)試:6V 額定電流:3A 噪聲系數(shù):- 電流 - 測(cè)試:250mA 功率 - 輸出:36.5dBmW 電壓 - 額定:12V 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:SC-70 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK4021(Q) 功能描述:MOSFET N-CH 250V 4.5A PW-MOLD2 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):250V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):4.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1 歐姆 @ 2.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):10nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):440pF @ 10V 功率 - 最大值:20W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短截引線,IPak 供應(yīng)商器件封裝:PW-MOLD2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:200 2SK4085LS-1E 2SK4087LS 2SK4087LS-1E 2SK4088LS 2SK4088LS-1E 2SK4089LS 2SK4093TZ-E 2SK4094 2SK4094-1E 2SK4096LS 2SK4097LS 2SK4099LS 2SK4099LS-1E 2SK4116LS 2SK4117LS 2SK4124 2SK4124-1E 2SK4125
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