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2SK4066-DL-1EX

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  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
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  • 操作
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  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 60V TO263-2
  • 制造商
  • on semiconductor
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 帶卷（TR）
  • 零件狀態(tài)
  • 停產(chǎn)
  • FET 類型
  • N 溝道
  • 技術(shù)
  • MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）
  • 60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
  • 100A（Ta）
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
  • -
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）
  • 220nC @ 10V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）
  • 12500pF @ 20V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散（最大值）
  • 1.65W（Ta），90W（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
  • 4.7 毫歐 @ 50A，10V
  • 工作溫度
  • 150°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • TO-263-2
  • 封裝/外殼
  • TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 800
2SK4066-DL-1EX 技術(shù)參數(shù)
  • 2SK4066-DL-1E 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4.7 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:220nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:12500pF @ 20V 功率 - 最大值:1.65W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:TO-263-2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:800 2SK4066-1E 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4.7 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:220nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:12500pF @ 20V 功率 - 最大值:1.65W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3 整包，I2Pak 供應(yīng)商器件封裝:TO-262-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 2SK4065-E 功能描述:MOSFET N-CH 75V 100A SMP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:220nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:12200pF @ 20V 功率 - 最大值:1.65W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3（SMT）標(biāo)片 供應(yīng)商器件封裝:SMP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 2SK4065-DL-E 功能描述:MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:220nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:12200pF @ 20V 功率 - 最大值:1.65W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:SMP-FD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 2SK4065-DL-1EX 功能描述:MOSFET N-CH 75V TO263-2 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100A（Ta） 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:220nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:12200pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.65W（Ta），90W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6 毫歐 @ 50A，10V 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:TO-263-2 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:800 2SK4088LS-1E 2SK4089LS 2SK4093TZ-E 2SK4094 2SK4094-1E 2SK4096LS 2SK4097LS 2SK4099LS 2SK4099LS-1E 2SK4116LS 2SK4117LS 2SK4124 2SK4124-1E 2SK4125 2SK4125-1E 2SK4126 2SK4150TZ-E 2SK4151TZ-E
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