參數(shù)資料
型號(hào)： 20CTH03S
廠商： International Rectifier
英文描述： Hyperfast Rectifier
中文描述： Hyperfast整流器
文件頁數(shù)： 2/9頁
文件大?。?/td> 225K
代理商： 20CTH03S
2
20CTH03, 20CTH03S, 20CTH03-1, 20CTH03FP
Bulletin PD-20769 rev. A
08/03
www.irf.com
V
BR
,
V
r
Breakdown Voltage,
Blocking Voltage
300
-
-
V
I
R
= 100μA
V
F
Forward Voltage
-
1.05 1.25
V
I
F
= 10A, T
J
= 25°C
-
0.85 0.95
V
I
F
= 10A, T
J
= 125°C
I
R
Reverse Leakage Current
-
-
20
μA
V
R
= V
R
Rated
-
6
200
μA
T
J
= 125°C, V
R
= V
R
Rated
C
T
Junction Capacitance
-
30
-
pF
V
R
= 300V
L
S
Series Inductance
-
8
-
nH
Measured lead to lead 5mm from package body
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameters
Min Typ Max
Test Conditions
Units
t
rr
Reverse Recovery Time
-
-
35
ns
I
F
= 1A, di
F
/dt = 50A/μs, V
R
= 30V
-
-
30
I
F
= 1A, di
F
/dt = 100A/μs, V
R
= 30V
-
31
-
T
J
= 25°C
-
42
-
T
J
= 125°C
I
RRM
Peak Recovery Current
-
2.4
-
A
T
J
= 25°C
-
5.6
-
T
J
= 125°C
Q
rr
Reverse Recovery Charge
-
36
-
nC
T
J
= 25°C
-
120
-
T
J
= 125°C
Dynamic Recovery Characteristics @ T
C
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameters
Min Typ Max
Test Conditions
Units
Parameters
Min
Typ
Max
Units
T
J
Max. Junction Temperature Range
-
-
175
°C
T
Stg
Max. Storage Temperature Range
- 65
-
175
R
thJC
Thermal Resistance, Junction to Case
Per Diode
-
-
1.5
°C/W
Fullpack (Per Diode)
-
-
3.9
Thermal - Mechanical Characteristics
I
F
= 10A
di
F
/dt = 200A/μs
V
R
= 200V
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PDF描述
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