參數(shù)資料
型號(hào)： 25MT060WF
廠商： International Rectifier
英文描述： FULL-BRIDGE IGBT MTP
中文描述： 全橋IGBT的中期計(jì)劃
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大?。?/td> 80K
代理商： 25MT060WF
25MT060WF
Target Data 05/01
2
V
(BR)CES
V
CE(on)
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Voltage
600
V
V
GE
= 0V, I
C
= 250μA
V
GE
= 15V, I
C
= 25A
V
GE
= 15V, I
C
= 25A, T
J
= 150°C
I
C
= 250μA
mV/°C V
GE
= V
CE
, I
C
= 500μA
1.85
1.7
V
GE(th)
V
GE(th)
/ Temperature Coeff. of
T
J
Threshold Voltage
g
fe
Forward Transconductance
I
CES
Collector-to-Emiter Leaking Current
Gate Threshold Voltage
3
6
-
40
S
μA
V
CE
= 100V, I
C
= 25A
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V, T
J
= 150°C
I
F
= 25A, V
GE
= 0V
I
F
= 25A, V
GE
= 0V, T
J
= 150°C
V
GE
= ± 20V
250
5000
V
FM
Diode Forward Voltage Drop
1.3
1.2
V
I
GES
Gate-to-Emitter Leakage Current
± 100
nA
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameters
Min
Typ Max Units Test Conditions
Thermal- Mechanical Specifications
T
J
T
STG
R
thJC
Operating Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
- 40
- 40
150
125
°C
Junction-to-Case
IGBT
0.7
°C/ W
Diode
Module
0.9
R
thCS
Case-to-Sink
0.06
(Heatsink Compound Thermal Conductivity = 1 W/mK)
Weight
66
g
Parameters
Min
Typ
Max
Units
Q
g
Q
ge
Q
gc
E
on
E
off(1)
E
ts(1)
C
ies
C
oes
C
res
trr
Irr
Qrr
di
(rec)
M/
dt
Diode PeakRate of Fall of Recovery
During t
b
Total Gate Charge (turn-on)
Gate-Emitter Charge (turn-on)
Gate-Collector Charge (turn-on)
Turn-On Switching Loss
Turn-Off Switching Loss
Total Switching Loss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Diode Reverse Recovery Time
Diode Peak Reverse Current
Diode Recovery Charge
180
25
63
950
320
1270
4000
260
68
50
4.5
112
250
nC
I
C
= 25A
V
CC
= 400V
V
GE
= 15V
R
g1
= R
g2
= 5
,
I
C
= 25A
V
CC
= 480V
V
GE
= ±15V
V
GE
= 0V
V
CC
= 30V
f = 1.0 MHz
V
R
= 200V, I
C
= 25A
di/dt = 200A/μs
μJ
pF
ns
A
nC
A/μs
Switching Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameters
Min
Typ Max Units Test Conditions
相關(guān)PDF資料
PDF描述
25PS 25PS, 42PS, 44PS, 45PS and 46PS Series Pressure Switches
25RIA10 MEDIUM POWER THYRISTORS
25RIA100 MEDIUM POWER THYRISTORS
25RIA100M MEDIUM POWER THYRISTORS
25RIA80M MEDIUM POWER THYRISTORS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
25MT060WFAPBF 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:'Full Bridge' IGBT MTP (Warp Speed IGBT), 50 A
25MU104M2012 功能描述:CAP FILM 0.1UF 0.2 25VDC 2012 制造商:rubycon 系列:* 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
25MU104MZ12012 功能描述:0.1μF Film Capacitor 25V Acrylic, Metallized 0805 (2012 Metric) 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) 制造商:rubycon 系列:PMLCAP?，MU 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 電容:0.1μF 容差:±20% 額定電壓 - AC:- 額定電壓 - DC:25V 介電材料:丙烯酸，金屬化 ESR（等效串聯(lián)電阻）:- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:0805（2012 公制） 大小/尺寸:0.079" 長(zhǎng) x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.047"（1.20mm） 端接:- 引線間距:- 應(yīng)用:DC 鏈路，DC 濾波 特性:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:200
25MU104MZ22012 功能描述:CAP FILM 0.1UF 20% 25VDC 0805 制造商:rubycon 系列:PMLCAP?，MU 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 電容:0.1μF 容差:±20% 額定電壓 - AC:- 額定電壓 - DC:25V 介電材料:丙烯酸，金屬化 工作溫度:-55°C ~ 125°C 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:0805（2012 公制） 大小/尺寸:0.079" 長(zhǎng) x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.047"（1.20mm） 端接:- 引線間距:- 應(yīng)用:DC 鏈路，DC 濾波 等級(jí):- 特性:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
25MU105M3216 功能描述:CAP FILM 1UF 0.2 25VDC 3216 制造商:rubycon 系列:* 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*