參數(shù)資料
型號(hào)： 25N90
廠(chǎng)商： IXYS Corporation
英文描述： HiPerFET Power MOSFETs
中文描述： HiPerFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 124K
代理商： 25N90
2 - 4
2000 IXYS All rights reserved
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
V
DS
= 10 V; I
D
= 0.5 I
D25
Note 1
18
28
S
C
iss
C
oss
C
rss
8.7
800
300
10.8
1000
375
nF
pF
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
60
35
ns
ns
ns
ns
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 1
(External),
130
24
Q
g(on)
Q
gs
Q
gd
240
56
107
nC
nC
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
thJC
R
thCK
0.22 K/W
0.15
K/W
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
I
S
V
GS
= 0 V
26N90
25N90
26
25
A
I
SM
Repetitive;
pulse width limited by T
JM
26N90
25N90
104
100
A
V
SD
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V, Note 1
1.5
V
t
rr
250
ns
Q
RM
1.4
C
I
RM
10
A
I
F
= I
S
, -di/dt = 100 A/ s, V
R
= 100 V
Note: 1. Pulse test, t 300 s, duty cycle d 2 %
IXFK 25N90 IXFX 25N90
IXFK 26N90 IXFX 26N90
PLUS247
TM
(IXFX) Outline
Dim.
Millimeter
Min.
4.83
2.29
1.91
1.14
1.91
2.92
0.61
20.80
15.75
e 5.45 BSC
L
19.81
L1
3.81
Q
5.59
R
4.32
Inches
Min. Max.
.190 .205
.090 .100
.075 .085
.045 .055
.075 .084
.115 .123
.024 .031
.819 .840
.620 .635
.215 BSC
.780 .800
.150 .170
.220 .244
.170 .190
Max.
5.21
2.54
2.16
1.40
2.13
3.12
0.80
21.34
16.13
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
20.32
4.32
6.20
4.83
Millimeter
Min.
4.82
2.54
2.00
1.12
2.39
2.90
0.53
25.91
19.81
5.46 BSC
0.00
0.00
20.32
2.29
3.17
6.07
8.38
3.81
1.78
6.04
1.57
Inches
Max.
5.13
2.89
2.10
1.42
2.69
3.09
0.83
26.16
19.96
Min.
.190
.100
.079
.044
.094
.114
.021
1.020
.780
Max.
.202
.114
.083
.056
.106
.122
.033
1.030
.786
A
A1
A2
b
b1
b2
c
D
E
e
J
K
L
L1
P
Q
Q1
R
R1
S
T
.215 BSC
.000
.000
.800
.090
.125
.239
.330
.150
.070
.238
.062
0.25
0.25
20.83
2.59
3.66
6.27
8.69
4.32
2.29
6.30
1.83
.010
.010
.820
.102
.144
.247
.342
.170
.090
.248
.072
Dim.
TO-264 AA (IXFK) Outline
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,881,106
5,017,508
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
相關(guān)PDF資料
PDF描述
25YD33 RES NET BUSSED 56K OHM 8-SIP
25Y AC Line Rated Disc Capacitors
25YD10 AC Line Rated Disc Capacitors
25YD15 AC Line Rated Disc Capacitors
25YD39 AC Line Rated Disc Capacitors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
25NA100MEFC8X11.5 功能描述:CAP ALUM 100UF 25V 20% BI-P RAD RoHS:是 類(lèi)別:電容器 >> 鋁 系列:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:142 RHS 電容:4700µF 額定電壓:10V 容差:±20% 壽命@溫度:105°C 時(shí)為 2000 小時(shí) 工作溫度:-40°C ~ 105°C 特點(diǎn):通用 紋波電流:1.26A ESR（等效串聯(lián)電阻）:- 阻抗:- 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:徑向，Can 尺寸/尺寸:0.492" 直徑（12.50mm） 高度 - 座高（最大）:1.063"（27.00mm） 引線(xiàn)間隔:0.197"（5.00mm） 表面貼裝占地面積:- 包裝:散裝
25NA10MEFC5X11 功能描述:10μF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 85°C 制造商:rubycon 系列:NA 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電容:10μF 容差:±20% 額定電壓:25V ESR（等效串聯(lián)電阻）:- 不同溫度時(shí)的使用壽命:85°C 時(shí)為 2000 小時(shí) 工作溫度:-40°C ~ 85°C 極化:雙極 應(yīng)用:通用 紋波電流:- 阻抗:- 引線(xiàn)間距:0.079"（2.00mm） 大小/尺寸:0.197" 直徑（5.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.492"（12.50mm） 表面貼裝焊盤(pán)尺寸:- 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:徑向，Can 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
25NA220MEFC10X12.5 功能描述:CAP ALUM 220UF 25V 20% BI-P RAD RoHS:是 類(lèi)別:電容器 >> 鋁 系列:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:142 RHS 電容:4700µF 額定電壓:10V 容差:±20% 壽命@溫度:105°C 時(shí)為 2000 小時(shí) 工作溫度:-40°C ~ 105°C 特點(diǎn):通用 紋波電流:1.26A ESR（等效串聯(lián)電阻）:- 阻抗:- 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:徑向，Can 尺寸/尺寸:0.492" 直徑（12.50mm） 高度 - 座高（最大）:1.063"（27.00mm） 引線(xiàn)間隔:0.197"（5.00mm） 表面貼裝占地面積:- 包裝:散裝
25NA330M10X16 功能描述:CAP ALUM RAD 制造商:rubycon 系列:* 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000
25NA330MEFC10X16 功能描述:CAP ALUM 330UF 25V 20% BI-P RAD RoHS:是 類(lèi)別:電容器 >> 鋁 系列:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:142 RHS 電容:4700µF 額定電壓:10V 容差:±20% 壽命@溫度:105°C 時(shí)為 2000 小時(shí) 工作溫度:-40°C ~ 105°C 特點(diǎn):通用 紋波電流:1.26A ESR（等效串聯(lián)電阻）:- 阻抗:- 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:徑向，Can 尺寸/尺寸:0.492" 直徑（12.50mm） 高度 - 座高（最大）:1.063"（27.00mm） 引線(xiàn)間隔:0.197"（5.00mm） 表面貼裝占地面積:- 包裝:散裝
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