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參數(shù)資料
| 型號： | 28F512 |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 512K(64Kx8)CMOS FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 為512k（64Kx8）的CMOS閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 21/30頁 |
| 文件大?。?/td> | 1819K |
| 代理商： | 28F512 |
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 28F640C3 | 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory(3 V 高級快速引導(dǎo)塊閃速存儲器) |
| 28F640J3C-120 | Intel StrataFlash Memory (J3) |
| 28LV64A | 64K (8K x 8) Low Voltage CMOS EEPROM(低壓,64K位, CMOS 并行EEPROM) |
| 28M0U | 60V 300mA MONOLITHIC DIODE ARRAY |
| 28M0DC | 60V 300mA MONOLITHIC DIODE ARRAY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 28F512N12 | 制造商:CATA 功能描述: |
| 28F512N-12 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 28F5H | 制造商:EDAL 制造商全稱:EDAL 功能描述:Silicon High Voltage Assembly |
| 28F5H1 | 制造商:EDAL 制造商全稱:EDAL 功能描述:Silicon High Voltage Assembly |
| 28F6408W30 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) |
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