參數(shù)資料
型號(hào)： 29F002B-70
廠商： Macronix International Co., Ltd.
英文描述： 2M-BIT [256K x 8] CMOS FLASH MEMORY
中文描述： 200萬位[256K × 8]的CMOS閃存
文件頁數(shù)： 19/51頁
文件大小： 622K
代理商： 29F002B-70
19
REV. 1.5, MAR. 28, 2005
P/N: PM0547
MX29F002/002N T/B
DC CHARACTERISTICS
SYMBOL
ICC1 (Read)
ICC2
ICC3 (Program)
ICC4 (Erase)
ICCES
PARAMETER
Operating VCC Current
MIN.
TYP
MAX.
30(Note 5) mA
50
50
50
UNIT
CONDITIONS
IOUT=0mA, f=5MHz
IOUT=0mA, F=10MHz
In Programming
In Erase
CE=VIH, Erase Suspended
mA
mA
mA
mA
VCC Erase Suspend Current
2
NOTES:
1. VIL min. = -0.6V for pulse width is equal to or less than 20ns.
2. If VIH is over the specified maximum value, programming operation cannot be guaranteed.
3. ICCES is specified with the device de-selected. If the device is read during erase suspend mode, current draw is the sum of ICCES
and ICC1 or ICC2.
4. All current are in RMS unless otherwise noted.
5. ICC1(Read)=45mA for Industrial Grade.
COMMAND PROGRAMMING/DATA PROGRAMMING/ERASE OPERATION
相關(guān)PDF資料
PDF描述
29F002B-90 2M-BIT [256K x 8] CMOS FLASH MEMORY
29F002T-12 2M-BIT [256K x 8] CMOS FLASH MEMORY
29F002T-55 2M-BIT [256K x 8] CMOS FLASH MEMORY
29F002T-70 2M-BIT [256K x 8] CMOS FLASH MEMORY
29F002T-90 2M-BIT [256K x 8] CMOS FLASH MEMORY
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參數(shù)描述
29F002B-90 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:2M-BIT [256K x 8] CMOS FLASH MEMORY
29F002T-12 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:2M-BIT [256K x 8] CMOS FLASH MEMORY
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29F002T-70 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:2M-BIT [256K x 8] CMOS FLASH MEMORY
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